Публікація:
Operating temperature effect on the thin film solar cell efficiency

dc.contributor.authorZaitsev, R. V.en
dc.contributor.authorKirichenko, M. V.en
dc.contributor.authorKhrypunov, G. S.en
dc.contributor.authorRadoguz, S. A.en
dc.contributor.authorKhrypunov, M. G.en
dc.contributor.authorProkopenko, D. S.en
dc.contributor.authorZaitseva, L. V.en
dc.date.accessioned2021-04-09T11:11:45Z
dc.date.available2021-04-09T11:11:45Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractУ роботі розглянуто результати дослідження залежності ефективності плівкових фотоелектричних перетворювачів від їх робочої температури та проведено їх порівняння. Приведено аналіз фізичних механізмів впливу температури на вихідні, діодні та електронні параметри фотоелектричних перетворювачів. Визначення вихідних параметрів гнучких фотоелектричних перетворювачів здійснювалося за допомогою вимірювання світлових вольт-амперних характеристик за допомогою освітлювача на основі потужних напівпровідникових світлодіодів різного кольору для імітаційного випромінювання, характерного для стандартного наземного спектра сонячного світла. Для забезпечення ефективного неруйнівного контакту випробувальних зразків гнучких елементів на основі телуриду кадмію до кола вимірювання розроблено і використано спеціальний контактний пристрій. Головною особливістю контактного пристрою є чотири роздільних вертикально рухомих металевих зонда у вигляді напівсфер з полірованими поверхнями, що унеможливлює проколювання плівкових електродів. Дані зонди мають можливість індивідуального позиціонування кожного зонда, що здійснюється за допомогою твердої поворотної консолі змінної довжини, прикріпленої до корпусу. Отримано коефіцієнти зниження ефективності від робочої температури фотоелектричного перетворювача, що складають для пристроїв на основі CdTe – 0.14 %/C, для CuInSe₂ – 0.36%/C, для аморфного кремнію – 0.21 %/C. Аналітична обробка та аналіз впливу світлових діодних характеристик на ефективність приладів на основі CdTe показали, що температурна стабільність їх ефективності забезпечується стабільністю густини діодного струму насичення, величина якого збільшується на 50 % з 1.9·10 – 9 А до 2.7·10 – 9 А з підвищенням температури від 20 °С до 50 °С. В той же час для приладів на основі CuInSe₂ та аморфного кремнію встановлено, що основну роль у зниженні ефективності при підвищенні температури має зменшення густини струму короткого замикання, напруги холостого ходу та коефіцієнта заповнення вольт-амперних характеристик.uk
dc.identifier.citationOperating temperature effect on the thin film solar cell efficiency / R. V. Zaitsev [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2019. – Т. 11, № 4. – С. 04029-1-04029-6.ru
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04029
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52037
dc.language.isoen
dc.publisherСумський державний університетuk
dc.subjectфотоелектричні перетворювачіuk
dc.subjectтонкі плівкиuk
dc.subjectдіодні параметриuk
dc.titleOperating temperature effect on the thin film solar cell efficiencyen
dc.title.alternativeВплив робочої температури на ефективність тонкоплівкових сонячних елементівuk
dc.typeArticleen
dspace.entity.typePublication
dspace.relatedentity.typePerson
person.identifier.orcid0000-0003-2286-8452
relation.isAuthorOfPublication2a87e119-6879-4f11-b474-50ddd1055170
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery2a87e119-6879-4f11-b474-50ddd1055170

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
JNEP_2019_11_4_Zaitsev_Operating.pdf
Розмір:
452,33 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
11,25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: