Sensitivity of silicon photovoltaic converters to the light incidence angle on their receiving surface

Abstract

Наведено результати досліджень залежностей вихідних параметрів багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) від кута падіння сонячного випромінювання на їх приймальну поверхню. Показано, що для збільшення ККД ФЕП необхідно забезпечити підвищені значення часу життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах та коефіцієнта оптичного відбиття від границь метал/Si всередині багатоперехідних ФЕП, у той час, як при використанні багатоперехідних ФЕП у системах оптичної локації визначення напряму розповсюдження випромінювання доцільним є примусове зниження цих величин.