Influence of electromagnetic radiation on the performance of semiconductor devices

dc.contributor.authorYakovenko, Igor
dc.contributor.authorDzheniuk, Nataliia
dc.contributor.authorTolkachov, Maksym
dc.contributor.authorSokol, Halyna
dc.date.accessioned2026-04-08T08:22:02Z
dc.date.issued2026
dc.description.abstractThe growing level of electromagnetic threats necessitates investigating the failure mechanisms of semiconductor devices used in electronic equipment, particularly under pulsed electromagnetic radiation that can cause both temporary and critical damage to components.
dc.description.abstractЗростаючий рівень електромагнітних загроз вимагає дослідження механізмів відмов напівпровідникових приладів, що використовуються в електронній апаратурі, зокрема, під впливом імпульсного електромагнітного випромінювання, яке може спричинити як тимчасове, так і критичне пошкодження компонентів.
dc.identifier.citationYakovenko I., Dzheniuk N., Tolkachov M., Sokol H. Influence of electromagnetic radiation on the performance of semiconductor devices. Теріторія безпеки. 2026. Т.2. № 1. С. 52-57.
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20998/3083-6298.2026.01.07
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-0963-4347
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-0758-7935
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-7853-5855
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-4847-518X
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/100856
dc.language.isoen
dc.publisherНаціональний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
dc.subjectelectromagnetic radiation
dc.subjectcurrent, voltage
dc.subjectsemiconductor structures
dc.subjectthermal instability
dc.subjectcritical radiation energy
dc.subjectелектромагнітне випромінювання
dc.subjectструм
dc.subjectнапруга
dc.subjectнапівпровідникові структури
dc.subjectтеплова нестабільність
dc.subjectкритична енергія
dc.titleInfluence of electromagnetic radiation on the performance of semiconductor devices
dc.title.alternativeВплив електромагнітного випромінювання на продуктивність напівпровідникових приладів
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
TS_2026_1_Yakovenko_Influence.pdf
Розмір:
670.51 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
11.15 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: