Кинетика ионообменного взаимодействия силикатных многокомпонентных стекол
Дата
2007
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Було виявлено неоднозначний вплив заряду катіона на глибину ефективної дифузійної зони і його дифузійну рухливість. Ефективні коефіцієнти дифузії катіонів, так як і ширина дифузійної зони, зменшуються по мірі зростання заряду катіона від 1 до 4 (DNa⁺ DBa²⁺ DFe³⁺ DTi⁴⁺), однак подальше збільшення заряду катіона для вольфраму W⁶⁺ викликає ріст його коефіцієнта дифузії і ширини дифузійної зони. Це пов'язано з властивостями WO₃ як поверхнево-активної речовини, обумовленими тим, що на взаємодію в дифузійній зоні поряд з потоками катіонів W⁶⁺ сильно впливають іонні асоціати (WO₄)²⁻, що утворюють з киснем міцні направлені зв'язки. Ці закономірності схожі з закономірностями по змочуванню, електропровідності, в'язкій течії.
The effective ratios of cation’s diffusion also decrease so as the width of diffusion zone in during their charge growth from 1 to 4 (DNa⁺ DBa²⁺ DFe³⁺ DTi⁴⁺). But the increasing of diffusion ratios occurs with subsequent rising of cation’s charge. It is connected with properties of WO₃ as a surface-active substance.
The effective ratios of cation’s diffusion also decrease so as the width of diffusion zone in during their charge growth from 1 to 4 (DNa⁺ DBa²⁺ DFe³⁺ DTi⁴⁺). But the increasing of diffusion ratios occurs with subsequent rising of cation’s charge. It is connected with properties of WO₃ as a surface-active substance.
Опис
Ключові слова
диффузия катионов, диффузионные процессы, тугоплавкое стекло, контактная зона, тетраэдрические комплексы
Бібліографічний опис
Шило А. Е. Кинетика ионообменного взаимодействия силикатных многокомпонентных стекол / А. Е. Шило, С. А. Кухаренко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2007. – № 32. – С. 163-171.