Вплив високочастотних втрат у реальному накопичувальному дроселі транзисторних перетворювачів при застосуванні безфільтрового методу зменшення кондуктивних завад

Abstract

Розглянуто вплив високочастотних втрат реального накопичувального дроселя (НД) на ємність компенсувального конденсатора (КК) у схемі компенсації паразитної ємності перетворювачів, яка зумовлює проникнення несиметричних кондуктивних завад від перетворювачів в електромережу. Одержано вираз для оптимального значення ємності КК, яке забезпечує мінімізацію напруги несиметричної завади від перетворювача, а також перевірено та підтверджено правильність одержаного виразу. Показано, що оптимальна ємність КК не залежить від високочастотних втрат НД.