Обоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторов

Loading...
Thumbnail Image

Date

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

НТУ "ХПИ"

Abstract

Показана корреляционная зависимость между уровнем дефектных изоляторов в эксплуатации и распределением величины tgδ изоляторов. Представлены критерии определения оптимального уровня tgδ для браковки дефектных изоляторов. Приведен алгоритм оценки состояния изоляторов в эксплуатации.
Has been shown correlation between failure insulators’ layer and quantity of tgδ for insulators distribution. Have been reducted tgδ optimal layer criteria for failure insulators rejection. Has been given assessment algorithm for insulators’ state during the usage.

Description

Citation

Ким Ен Дар Обоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторов / Ким Ен Дар, В. Н. Таран // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Энергетика: надёжность и энергоэффективность. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 3. – С. 77-82.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By