Обоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКим, Ен Дарru
dc.contributor.authorТаран, В. Н.ru
dc.date.accessioned2014-12-10T09:00:36Z
dc.date.available2014-12-10T09:00:36Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractПоказана корреляционная зависимость между уровнем дефектных изоляторов в эксплуатации и распределением величины tgδ изоляторов. Представлены критерии определения оптимального уровня tgδ для браковки дефектных изоляторов. Приведен алгоритм оценки состояния изоляторов в эксплуатации.ru
dc.description.abstractHas been shown correlation between failure insulators’ layer and quantity of tgδ for insulators distribution. Have been reducted tgδ optimal layer criteria for failure insulators rejection. Has been given assessment algorithm for insulators’ state during the usage.en
dc.identifier.citationКим Ен Дар Обоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторов / Ким Ен Дар, В. Н. Таран // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Энергетика: надёжность и энергоэффективность. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 3. – С. 77-82.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/10741
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectкорреляционная зависимостьru
dc.subjectдефектru
dc.subjectэксплуатацияru
dc.subjectалгоритм оценкиru
dc.titleОбоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторовru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2011_3_Dar_Obosnovanie.pdf
Розмір:
891.11 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Вісник № 03