Туннельная кристаллизация кремния, германия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЧервоный, И. Ф.ru
dc.contributor.authorШвец, Е. Я.ru
dc.contributor.authorГоловко, Ю. В.ru
dc.contributor.authorЕгоров, С. Г.ru
dc.date.accessioned2014-10-21T11:49:34Z
dc.date.available2014-10-21T11:49:34Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractПредложен механизм «туннельного» перехода плотности при ускоренной кристаллизации кремния и германия, учитывающий кристаллохимические аспекты кристаллизации атомарных полупроводников.ru
dc.description.abstractThe mechanism of "tunnel" transition of density is offered at the accelerated crystallization of silicon and germanium, taking into account crystal-chemical aspects of crystallization of atomic semiconductors.en
dc.identifier.citationТуннельная кристаллизация кремния, германия / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2012. – № 18. – С. 79-84.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9652
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectматериаловедениеru
dc.subjectатомарные полупроводникиru
dc.subjectвыращивание монокристалловru
dc.subjectструктураru
dc.subjectплотностьru
dc.subjectмеханизм кристаллизацииru
dc.subjectsiliconen
dc.subjectgermaniumen
dc.subjectstructureen
dc.subjectdensityen
dc.subjectcrystallization mechanismen
dc.titleТуннельная кристаллизация кремния, германияru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2012_18_Chervonyy_Tunnelnaya.pdf
Розмір:
520.49 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.22 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Вісник № 18