Підвищення ефективності промислових зразків кремнієвих сонячних елементів

dc.contributor.authorЗайцев, Роман Валентиновичuk
dc.contributor.authorКіріченко, Михайло Валерійовичuk
dc.contributor.authorМінакова, Ксенія Олександрівнаuk
dc.contributor.authorДроздов, Антон Миколайовичuk
dc.contributor.authorШкода, Дмитро Сергійовичuk
dc.date.accessioned2023-03-15T12:02:48Z
dc.date.available2023-03-15T12:02:48Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractДосліджено можливості збільшення коефіцієнта корисної дії більш ніж на 20% для кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Методом комп’ютерного моделювання встановлено, що час життя нерівноважних носіїв заряду, який становить 520 мкс, реалізований у таких фотоелектричних перетворювачах, не обмежує можливості підвищення їх ефективності більш ніж на 20%. Показано, що збільшення щільності фотоструму до 43,1 мА/см² призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 20,1%, а зниження густини струму насичення діода до 3,1∙10⁻¹⁴ А/см² призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 20,4%. Одночасна зміна цих характеристик діода призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 23,1%. У роботі запропоновано фізико-технологічні підходи до збільшення густини фотоструму та зменшення густини струму насичення діода у готових фотоелектричних перетворювачах.uk
dc.description.abstractPossibilities of increasing the efficiency by more than 20% for silicon photoelectric converters made in China have been investigated. It has been established by the method of computer simulation that the life-times of nonequilibrium charge carriers, which are 520 μs, realized in such photoelectric converters, do not limit the possibility of increasing their efficiency by more than 20%. It is shown that an increase in the photocurrent density to 43.1 mA/cm² leads to an increase in efficiency to 20.1%, and a decrease in the diode saturation current density to 3.1∙10⁻¹⁴ A/cm² leads to an increase in efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these diode characteristics leads to an increase in efficiency to 23.1%. The paper proposes physical and technological approaches to increase the photocurrent density and reduce the diode saturation current density in ready-made photovoltaic converters.en
dc.identifier.citationПідвищення ефективності промислових зразків кремнієвих сонячних елементів / Р. В. Зайцев, М. В. Кіріченко, К. О. Мінакова, А. М. Дроздов, Д. С. Шкода // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Сер. : Енергетика: надійність та енергоефективність = Bulletin of the National Technical University "KhPI". Ser. : Energy: reliability and energy efficiency : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2021. – № 2 (3). – С. 75-83.uk
dc.identifier.doidoi.org/10.20998/2224-0349.2021.02.01
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-2286-8452
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-4847-506X
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-8869-1082
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-5736-0697
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-3592-9755
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/63327
dc.language.isouk
dc.publisherНаціональний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"uk
dc.subjectоптимізаціяuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectфотоелектричні перетворювачіuk
dc.subjectсонячна енергіяuk
dc.subjectелектричні параметриuk
dc.subjectефективністьuk
dc.subjectoptimizationen
dc.subjectsiliconen
dc.subjectphotovoltaic convertersen
dc.subjectsolar energyen
dc.subjectelectrical parametersen
dc.subjectefficiencyen
dc.subjectmodellingen
dc.titleПідвищення ефективності промислових зразків кремнієвих сонячних елементівuk
dc.title.alternativeImproving the efficiency of industrial samples of silicon solar elementsen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
visnyk_KhPI_2021_2_ENTE_Zaitsev_Pidvyshchennia.pdf
Розмір:
1.07 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: