Конструкторсько-технологічний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІС

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петровичuk
dc.contributor.authorБойко, Сергій Івановичuk
dc.date.accessioned2016-05-05T07:25:57Z
dc.date.available2016-05-05T07:25:57Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractПроведено аналіз швидкодії гетероструктурних польових транзисторів із селективним легуванням (ПТГСЛ), багатоканальних ПТГСЛ та ПТГСЛ з оберненою структурою, а також польових транзисторів з гетерозатвором високої щільності. На практиці отримані ПТГСЛ із значенням часу затримки в кільцевому генераторі τD = 12,5-25 пс при Т= 300 К потужністю PD= 0,9-4,0 мВт. Використання таких транзисторів в комплементарних вентилях, дозволяє збільшити їх швидкодію в 2,5-3 раз, в порівнянні з кремнієвими.uk
dc.description.abstractThis paper analyzes performance of heterojunction FETs for LSI/VLSI structures, namely heterojunction field-effect transistors with selective doping (MODFET), multichannel MODFET and MODFET with reverse structure, as well as field-effect transistors with high density heterogate. Main feature of MODFET is a very high conductivity and quantum states in a fairly narrow channel, and also close proximity of metal gate to the channel with a large dielectric constant of GaAs layer compared to SiO₂. Thanks to these excellent features of MODFET slopein current saturation exceeds the slope MOSFET, which ensures its high performance. Use of MODFET can increase the speed of the VLSI structures in 2,5-3 times.en
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Конструкторсько-технологічний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІС / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Механіко-технологічні системи та комплекси. – Харків : НТУ "ХПІ". – 2015. – № 36 (1145). – С. 3-8.uk
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/21263
dc.language.isouk
dc.publisherНТУ "ХПІ"uk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectгетероперехідuk
dc.subjectарсенід галіюuk
dc.subjectдвомірний електронний газuk
dc.subjectgallium arsenideen
dc.subjecttwo-dimensional electron gasen
dc.titleКонструкторсько-технологічний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІСuk
dc.title.alternativeDesign and technology analysis of high performance heterojunction field effect transistors for submicron LSI/VLSI structuresen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_KhPI_2015_36_Novosiadlyi_Konstruktorsko.pdf
Розмір:
406.43 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник № 36