Физико-химические основы технологий получения микроэмульсий и полислойных субмикрокристаллических структур сверхпроводников и полупроводников
Дата
2010
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Розглянуті фізико-хімічні основи комплексних технологій отримання високоефективних вогнегасних дисперсних систем та електролітичного формування на поверхні металу тонкоплівкових (10² – 10³ нм) покриттів різної хімічної природи з метою отримання мікрошарів надпровідників та напівпровідників (багатокомпонентні металооксидні системи).
Physical and chemical bases of complex technologies of reception highly effective fire extinguisher disperse systems and electrolytic formations on a spending metal constructional basis thin film (10² – 10³ nm) metals of the various nature with the purpose of reception (a method thermoannealing in various gas environments) microlayers of superconductors (intermetallic) or semiconductors (multicomponent metal-oxide systems) are stated.
Physical and chemical bases of complex technologies of reception highly effective fire extinguisher disperse systems and electrolytic formations on a spending metal constructional basis thin film (10² – 10³ nm) metals of the various nature with the purpose of reception (a method thermoannealing in various gas environments) microlayers of superconductors (intermetallic) or semiconductors (multicomponent metal-oxide systems) are stated.
Опис
Ключові слова
формирования микроструктур, наноструктура, МС, НС, микрослой сверхпроводника, дисперсная фаза, газовый пожарный извещатель, газосигнализатор
Бібліографічний опис
Физико-химические основы технологий получения микроэмульсий и полислойных субмикрокристаллических структур сверхпроводников и полупроводников / М. В. Кустов [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2010. – № 47. – С. 53-62.