Моделювання електромагнітних процесів низьких енергій взаємодії випромінювання з речовиною при розробці детекторів
Дата
2011
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПІ"
Анотація
Розглянуто два способи комп’ютерного моделювання детекторного блоку пристрою, що призначений для локації точкового джерела гамма-випромінювання, з використанням бібліотеки класів Geant4, модель низьких енергій. Визначено, що в області енергій до 1 МеВ обидва способи дають коректні результати, що підтверджується експериментальними даними. Визначені деякі особливості використання моделей, що розглядаються, та надані рекомендації розробникам детекторів випромінювання.
Two methods of computer simulation of the detector unit designed for location a point source of gamma radiation, using the Geant4 class library are presented. It is shown that at energies up to 1 MeV both models give the correct results, as confirmed by experimental data. Some features of these models are identified, and recommendations for developers of devices for locating sources of radiation are given.
Two methods of computer simulation of the detector unit designed for location a point source of gamma radiation, using the Geant4 class library are presented. It is shown that at energies up to 1 MeV both models give the correct results, as confirmed by experimental data. Some features of these models are identified, and recommendations for developers of devices for locating sources of radiation are given.
Опис
Ключові слова
проникаюче випромінювання, техногенні катастрофи, Чернобильська АЕС, гамма-випромінювання, детектор D2 енергії
Бібліографічний опис
Малихіна Т. В. Моделювання електромагнітних процесів низьких енергій взаємодії випромінювання з речовиною при розробці детекторів / Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Математичне моделювання в техніці та технологіях. – Харків : НТУ "ХПІ", 2011. – № 42. – С. 126-132.