Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБогдан, Е. А.ru
dc.contributor.authorПироженко, Л. А.ru
dc.contributor.authorНаконечный, Д. В.ru
dc.contributor.authorВеревкин, А. А.ru
dc.contributor.authorПолянский, Николай Егоровичru
dc.date.accessioned2015-07-07T07:17:24Z
dc.date.available2015-07-07T07:17:24Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractДетекторы γ-излучения на основе CdTe проходят ряд предварительных операций, одна из которых химическое травление и полирование. В работе исследован процесс химического травления кри-сталлов СdZnTe в растворах І2-ДМФА. Установлена зависимость скорости травления от концентрации йода. Определены диапазоны концентраций йода для полирующего и селективного травления.ru
dc.description.abstractCdTe gamma-ray detectors pass trough a sequence of preliminary operations, one of them is chemical etching and polishing. The chemical etching process of CdZnTe crystal in iodine-dimethylformamide solution was studied in this work. The dependence of etching speed from iodine concentration was determined. The ranges of iodine concentrations for polishing and selective etching were defined.en
dc.identifier.citationИсследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах / Е. А. Богдан [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 65. – С. 98-103.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15820
dc.language.isoru
dc.publisherНациональный технический университет "Харьковский политехнический институт"ru
dc.subjectполупроводниковые соединенияru
dc.subjectвысококачественные детекторыru
dc.subjectхимическое травлениеru
dc.subjectполированиеru
dc.subjectдиапазоны концентраций йодаru
dc.titleИсследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворахru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2011_65_Bogdan_Issledovanie.pdf
Розмір:
224.19 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник № 65