Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах
dc.contributor.author | Богдан, Е. А. | ru |
dc.contributor.author | Пироженко, Л. А. | ru |
dc.contributor.author | Наконечный, Д. В. | ru |
dc.contributor.author | Веревкин, А. А. | ru |
dc.contributor.author | Полянский, Николай Егорович | ru |
dc.date.accessioned | 2015-07-07T07:17:24Z | |
dc.date.available | 2015-07-07T07:17:24Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Детекторы γ-излучения на основе CdTe проходят ряд предварительных операций, одна из которых химическое травление и полирование. В работе исследован процесс химического травления кри-сталлов СdZnTe в растворах І2-ДМФА. Установлена зависимость скорости травления от концентрации йода. Определены диапазоны концентраций йода для полирующего и селективного травления. | ru |
dc.description.abstract | CdTe gamma-ray detectors pass trough a sequence of preliminary operations, one of them is chemical etching and polishing. The chemical etching process of CdZnTe crystal in iodine-dimethylformamide solution was studied in this work. The dependence of etching speed from iodine concentration was determined. The ranges of iodine concentrations for polishing and selective etching were defined. | en |
dc.identifier.citation | Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах / Е. А. Богдан [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 65. – С. 98-103. | ru |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15820 | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" | ru |
dc.subject | полупроводниковые соединения | ru |
dc.subject | высококачественные детекторы | ru |
dc.subject | химическое травление | ru |
dc.subject | полирование | ru |
dc.subject | диапазоны концентраций йода | ru |
dc.title | Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах | ru |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- vestnik_HPI_2011_65_Bogdan_Issledovanie.pdf
- Розмір:
- 224.19 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.23 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: