Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах

Abstract

Детекторы γ-излучения на основе CdTe проходят ряд предварительных операций, одна из которых химическое травление и полирование. В работе исследован процесс химического травления кри-сталлов СdZnTe в растворах І2-ДМФА. Установлена зависимость скорости травления от концентрации йода. Определены диапазоны концентраций йода для полирующего и селективного травления.

CdTe gamma-ray detectors pass trough a sequence of preliminary operations, one of them is chemical etching and polishing. The chemical etching process of CdZnTe crystal in iodine-dimethylformamide solution was studied in this work. The dependence of etching speed from iodine concentration was determined. The ranges of iodine concentrations for polishing and selective etching were defined.