Кремний, легированный германием (SIGE), как материал для изготовления силовых полупроводниковых приборов, устойчивых к действию вторичного космического излучения

Abstract

Проблема непредсказуемого выхода из строя силовых полупроводниковых приборов может быть решена при использовании технологий, обеспечивающих повышение их радиационной стойкости. Использование монокристаллов кремния, легированных германием, замедляет деградацию характеристик приборов при воздействии ионизирующих излучений, что является альтернативой дефицитным и дорогостоящим GaAs, GaN, SiC, применяемым для этих целей. Воздействие вторичного космического излучения может быть ответственным за деградацию электрофизических параметров монокристаллов кремния при их длительном хранении, а также за снижение эффективности работы полупроводниковых преобразователей солнечной энергии.

The problem of unpredictable failure of power semiconductor devices can be solved by using technologies that increase their radiation resistance. The use of single crystals of germanium doped silicon slows down the degradation of the characteristics of devices when exposed to ionizing radiation, which is an alternative to scarce and expensive GaAs, GaN, SiC, used for these purposes. The impact of secondary cosmic radiation maybe responsible for the degradation of the electrophysical parameters of silicon single crystals during their long-term storage, as well as for the decrease in the operating efficiency of semiconductor solar energy converters.