Газофазное осаждение кремний-германиевых сплавов
Вантажиться...
Дата
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник/консультант
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Методом сумісного газофазного осадження при пониженому тиску одержано щільні полікристалічні конденсати Si-Ge сплавів з концентрацією германію від 5 до 30 %, для використання в якості матеріалів для термоелектричних перетворювачів енергії. Досліджено кінетику осадження Si-Ge сплавів. Присутність невеликих добавок германію інтенсифікує процес осадження кремнію. Визначення концентрації германію проводилось ядерно-фізичним методом. Мікрорентгеноспектральні дослідження рівномірності осадження засвідчили високу гомогенність одержаних сплавів.
Dense polycrystallic condensates of Si-Ge alloys were grown by reduced pressure CVD intended for usage as materials for thermoelectric energy converters. The kinetics of a Si-Ge deposition is researched. The presence of the small amounts of germanium intensifies the process of a silicon deposition. The determination of germanium concentration in the samples was made via the nuclear physics technique. The examination, made in the microanalyzer, attested to a high homogeneity of the Si-Ge condensates.
Dense polycrystallic condensates of Si-Ge alloys were grown by reduced pressure CVD intended for usage as materials for thermoelectric energy converters. The kinetics of a Si-Ge deposition is researched. The presence of the small amounts of germanium intensifies the process of a silicon deposition. The determination of germanium concentration in the samples was made via the nuclear physics technique. The examination, made in the microanalyzer, attested to a high homogeneity of the Si-Ge condensates.
Опис
Бібліографічний опис
Газофазное осаждение кремний-германиевых сплавов / А. Ю. Журавлев [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2006. – № 44. – С. 96-100.