Анализ динамических потерь мощных IGBT
Дата
2017
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Статья посвящена анализу методик оценки коммутационных потерь в IGBT-модулях различных производителей и разных технологических поколений. Рассмотрены группы основных и дополнительных параметров, и их степень влияния на эти оценки. Показано, что отличия в режимах измерения электрических характеристик IGBT могут приводить к отклонениям от справочных характеристик в реальных режимах эксплуатации модулей. Проанализировано влияние дополнительных параметров на величины динамических потерь, имеющихся в технических спецификациях на полупроводниковые приборы. Приведены результаты экспериментальных исследований.
The article is devoted to evaluation methods of switching losses of IGBT modules from different manufacturers and different technologies. Basic and additional parameters of IGBT and their degree of influence are considered. It is shown that differences in measurement methods of electrical characteristics of IGBT can lead to deviations from the reference characteristics in the real working conditions of the modules. Influence of additional parameters on the value of the dynamic losses mentioned in technical specifications of IGBT are analyzed. The results of experimental studies are shown.
The article is devoted to evaluation methods of switching losses of IGBT modules from different manufacturers and different technologies. Basic and additional parameters of IGBT and their degree of influence are considered. It is shown that differences in measurement methods of electrical characteristics of IGBT can lead to deviations from the reference characteristics in the real working conditions of the modules. Influence of additional parameters on the value of the dynamic losses mentioned in technical specifications of IGBT are analyzed. The results of experimental studies are shown.
Опис
Ключові слова
антипараллельные диоды, силовые ключи, энергия потерь, отрицательное напряжение, эпиттер, паразитная индуктивность
Бібліографічний опис
Анализ динамических потерь мощных IGBT / A. Wintrich [и др.] // Вестник Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" = Bulletin of National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" : [cб. науч. тр.]. – Харьков, 2017. – Вып. 27 (1249) : Проблемы автоматизированного электропривода. Теория и практика. Силовая электроника и энергоэффективность = Problems of Automated Electrodrivs. Theory and Practice. Power Electronics and Energy Efficiency : темат. вып. – С. 191-196.