Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния
dc.contributor.author | Червоный, И. Ф. | ru |
dc.contributor.author | Строителева, Н. И. | ru |
dc.contributor.author | Егоров, С. Г. | ru |
dc.contributor.author | Воляр, Р. М. | ru |
dc.date.accessioned | 2015-10-15T07:23:30Z | |
dc.date.available | 2015-10-15T07:23:30Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Рассмотрен механизм повышения времени жизни неравновесных носителей заряди в монокристаллах кремния при использовании исходного сырья с повышенным содержанием примесей. | ru |
dc.description.abstract | The mechanism of increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered. | en |
dc.identifier.citation | Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 126-130. | ru |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428 | en |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | НТУ "ХПИ" | ru |
dc.subject | выращивание | ru |
dc.subject | метод Чохральского | ru |
dc.subject | примесь | ru |
dc.subject | исходное сырье | ru |
dc.subject | солнечные элементы | ru |
dc.subject | трихлорсилан | ru |
dc.subject | crystal | en |
dc.subject | growth | en |
dc.subject | method Chohralsky | en |
dc.subject | impurity | en |
dc.title | Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния | ru |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
- Назва:
- vestnik_HPI_2011_54_Chervonyy_Mekhanizm.pdf
- Розмір:
- 272.6 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.23 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: