Описание тепловых процессов в полупроводниковых приборах с использованием передаточных функций

Abstract

В последние десятилетия возрос интерес к расчету температуры в кристалле сложных полупроводниковых силовых приборов. Чем более точно эта температура рассчитывается, тем большие токи можно снять с указанных приборов при сохранении высокой надежности. Все поставщики силовых полупроводниковых приборов приводят большое число тепловых характеристик приборов для установившихся и переходных режимов работы. Эффективность и точность проектирования полупроводниковых преобразователей возрастает, если в составе компьютерной программы расчета будет универсальная модель тепловых процессов. Такая постановка задачи не новая, но она, на наш взгляд, нуждается в более углубленном математическом обосновании.