Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики".

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 192

ITO/polyimide/Al2O3 thin films structure for capacitive transducers
(2020) Zaitseva, Liliia V.; Vodoriz, Olga S.; Zaitsev, Roman V.
It has been developed and approbated prototypes of thin-film capacitor transducers based on Al/ITO/polyimide/Al2O3 heterosystem for capacitive acoustic control in metal objects in the modes of simultaneous acoustic signal reception and generation by capacitive transducers and in certain modes of acoustic signal generating or receiving that can realize objects monitoring with sensitivity at the level of piezoelectric transducers. The developed prototype of thin film capacitive transducer for monitoring pipelines by longwave capacitive method allows increasing the maximum distance between the capacitive transducers up to 10 m. It has been engineered the thin film capacitive transducers which by using the polyamide film with 15 microns thickness of and alumina film with 1 micron thickness allow to increase the sensitivity of such method in 7-8 times. It is shown that using the magnetron sputtering technology, which provides high adhesion to polyimide substrate layers, made possible produce the capacitive transducers for objects with various shape. Proposed and patented: capacitor method for receiving acoustic signals in non-destructive control and transducer of ultrasonic acoustic wave’s excitation and receiving.
Technology Bases of Combined Photovoltaic Systems
(2023) Zaitsev, Roman; Kirichenko, Mykhailo; Minakova, Kseniia; Khrypunov, Gennadiy; Nikitin, Viktor
This work is subject to copyright. All rights are solely and exclusively licensed by the Publisher, whether the whole or part of the material is concerned, specifically the rights of translation, reprinting, reuse of illustrations, recitation, broadcasting, reproduction on microfilms or in any other physical way, and transmission or information storage and retrieval, electronic adaptation, computer software, or by similar or dissimilar methodology now known or hereafter developed. The use of general descriptive names, registered names, trademarks, service marks, etc. in this publication does not imply, even in the absence of a specific statement, that such names are exempt from the relevant protective laws and regulations and therefore free for general use. The publisher, the authors and the editors are safe to assume that the advice and information in this book are believed to be true and accurate at the date of publication. Neither the publisher nor the authors or the editors give a warranty, expressed or implied, with respect to the material contained herein or for any errors or omissions that may have been made.
Фізика напівпровідникових приладів
(2023) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна
Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.
Mathematical Modeling of Physical Processes of Electromagnetic Field Transformation in Elastic Oscillations Field in Microthick Layers of Metals
(Сумський державний університет, 2017) Plesnetsov, S. Yu.; Migushchenko, R. P.; Petryschev, O. N.; Suchkov, G. M.; Khrypunov, G. S.
The results of the mathematical studies on the modeling of high-frequency electromagnetic field conversion in the field of elastic oscillations process in microthick surface layers or electrically conductive ferromagnetic material thin films placed in a magnetic field are given, taking into account the coherence of elastic, electric and magnetic properties of the metal. It is shown that in practical calculations, especially in the case of high-frequency oscillations, it is necessary to take into account thickness of skin layer in which electromagnetic field transforms into acoustic field.
Квантова електроніка
(ФОП Середняк Т. К., 2023) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Квантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки. Квантова електроніка вивчає поглинання і випромінювання енергії атомів і молекул речовини при переходах з одного енергетичного рівня на інший.
Створення тонкоплівкової композиції для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович
Створено тонкоплівкову композицію для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром шляхом застосування двох недорогих і придатних для широкомасштабного виробництва рідиннофазних методів, а саме електроосадження і методу послідовної абсорбції і реакції іонних шарів. Вивчено структуру і оптичні властивості окремих шарів, досліджено електричні властивості гетероструктури Mo/р-Cu₂ZnSnS₄/n-ZnS/Al.
Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович
З метою створення нової конструкції сонячного елемента (СЕ) з наноструктурованим одновимірним (1-D) шаром ZnO, сенсибілізованим квантовими точками (КТ) SnS, застосоване імпульсне електроосадження масивів 1-D ZnO, а також нанесення квантових точок SnS і тонкої плівки широкозонного напівпровідника р-типу CuSCN методом рідиннофазного молекулярного нашарування (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR). В роботі досліджені морфологія, структура і оптичні властивості всіх напівпровідникових шарів. Продемонстровано діодну характеристику розробленої нами нової конструкції СЕ на КТ, яка підтверджує її функціональність.
Effect of extraterrestrial solar UV radiation on structure and properties of ZnO films obtained by wet chemical methods
(Vasyl Stefanyk Precarpatian National University, 2019) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Khrypunova, A. L.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.
Використання електрохімічного і гідрохімічного методів для виготовлення напівпрозорого сонячного елемента на основі гетеропереходу р-NiO/n-ZnO
(Рік-У, 2018) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Кристалічна структура, оптичні, електричні та термоелектричні властивості плівок ZnO і ZnO:In, виготовлених методом SILAR
(Рік-У, 2018) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович

Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Переглянути

Фільтри

Налаштування

Сортувати за

Результатів на сторінку

Результати пошуку