Кафедра "Природничі науки"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/1703

Увага! Поповнення колекції кафедри "Природничі науки" від травня 2023 року тимчасово призупинено.

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/ken

Кафедра "Природничі науки" заснована в 1973 році.

Кафедра забезпечувала викладання дисциплін природничого циклу іноземним громадянам, які готуються продовжувати навчання у вищих навчальних закладах України.

Студенти отримують необхідний рівень знань з природничих дисциплін і мають можливість вступати в будь-які вузи України для подальшого навчання.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту міжнародної освіти Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2010) Ольховська, Світлана Іванівна; Водоріз, Ольга Станіславівна; Щуркова, Н.; Рогачова, Олена Іванівна
    Досліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом.
  • Ескіз
    Документ
    Зависимости термоэлектрических свойств от толщины тонких пленок теллурида свинца, легированного индием
    (Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2014) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.
    Получены зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, электропроводности σ, коэффициента Холла RH, подвижности носителей заряда μ и термоэлектрической мощности P = S²·σ) от толщины d (d = 10 – 255 нм) тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме кристаллов PbTe, легированных индием, и последующей конденсации на подложки (111) BaF₂. При уменьшении толщины пленок до d ≈ 40 нм наблюдается инверсия типа проводимости с n- на р-тип, что связывается с изменением условий термодинамического равновесия и частичным реиспарением атомов свинца и/или индия. На толщинных зависимостях свойств при d1 ≈ 20 нм обнаружены экстремумы, наличие которых указывает на квантование дырочного газа. В области толщин с n-типом проводимости наблюдается плавное изменение термоэлектрических свойств с толщиной, что свидетельствует о проявлении классического размерного эффекта и достаточно хорошо описывается в рамках теории Фукса-Зондхеймера.
  • Ескіз
    Документ
    Dependences of thermoelectric properties on the thickness of thin films of indium doped lead telluride
    (Institute of Thermoelectricity, 2014) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Matychenko, P. V.; Dobrotvorskaya, M. V.
    Dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the electric conductivity σ, the Hall coefficient RH, the carrier mobilityμ and the thermoelectric power P = S²·σ) on the thickness d (d = 10 – 255 nm) of thin films prepared by vacuum evaporation of indiumdoped PbTe crystals and subsequent condensation on (111) BaF₂ substrates were obtained. With decreasing thickness of films to d ≈ 40 nm, there is n- to p-type inversion of conduction which is related to a change in thermodynamic equilibrium conditions and partial reevaporation of lead and/or indium atoms. Extremes were found on the thickness dependences of properties at d₁ ≈ 20 nm which is indicative of hole gas quantization. In the range of thicknesses with n-type conduction there is a smooth change in thermoelectric properties with thickness which testifies to manifestation of classical size effect and is sufficiently well described in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory.
  • Ескіз
    Документ
    Size effects in thin n-PbTe films
    (STC "Institute for Single Crystals", 2015) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Zubarev, Evgeniy N.