Кафедра "Природничі науки"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/1703

Увага! Поповнення колекції кафедри "Природничі науки" від травня 2023 року тимчасово призупинено.

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/ken

Кафедра "Природничі науки" заснована в 1973 році.

Кафедра забезпечувала викладання дисциплін природничого циклу іноземним громадянам, які готуються продовжувати навчання у вищих навчальних закладах України.

Студенти отримують необхідний рівень знань з природничих дисциплін і мають можливість вступати в будь-які вузи України для подальшого навчання.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту міжнародної освіти Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 9 з 9

Investigation of thin film solar cells on CdS/CdTe base with different back contacts
(Trans Tech Publications, Switzerland, 2010) Khrypunov, G.; Meriuts, A.; Klochko, H.; Shelest, T.; Khrypunova, A.
The peculiarities of photo-electric processes in thin film CdS/CdTe solar cells (SC) with different back electrodes (Cu/Au, ITO, Cu/ITO) havebeen studied. As it was established by capacitance – voltage (C-V) characteristics, the potential barrier heights for CdTe/Cu/Au and CdTe/ITO were 0.3 eV and 2.2 eV, respectively. The concentrations of charge carriers near back contact consisted 9⋅10²⁰ m⁻³ and 2⋅10²¹ m⁻³, respectively. A high carrier concentration and hi gh potential barrier of the ITO back contact caused the tunnel – recombination mechanism of the charge transport. The investigations of CdS/CdTe/ITO SC spectral photosensitivity testify a negative impact of the developed grain-boundary surface of the base layer on the processes of diffusion and separation of non-equilibrium currentcarriers generated by short-wave radiation. It is shown that the deposition of Cu nanolayer before the deposition of ITO films give stable efficiency 10% for bifacial CdS/CdTe solar cells.
Гальваномагнiтнi властивостi плiвок PbSe з домiшкою хлору
(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2012) Ольховська, Світлана Іванівна; Рогачова, Олена Іванівна
Показано, що впровадження домішки PbCl2 у кристали PbSe змінює тип провідності з p- на n-, дозволяє отримати високi концентрації електронiв порівняно зi стехіометричним PbSe та знижує рухливість електронiв внаслідок зростання розсіяння носіїв заряду на домішкових дефектах. Встановлено, що методом термічного випаровування в вакуумi кристалiв PbSe, легованих PbCl2, можна отримувати тонкі плівки PbSe з високою концентрацією електронiв. При наявності захисного шару Al2O3 в плівках PbSe коефіцієнт Холла менший, ніж у плівці без захисного шару.
Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм
(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2010) Ольховська, Світлана Іванівна; Водоріз, Ольга Станіславівна; Щуркова, Н.; Рогачова, Олена Іванівна
Досліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом.
Зависимости термоэлектрических свойств от толщины тонких пленок теллурида свинца, легированного индием
(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2014) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.
Получены зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, электропроводности σ, коэффициента Холла RH, подвижности носителей заряда μ и термоэлектрической мощности P = S²·σ) от толщины d (d = 10 – 255 нм) тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме кристаллов PbTe, легированных индием, и последующей конденсации на подложки (111) BaF₂. При уменьшении толщины пленок до d ≈ 40 нм наблюдается инверсия типа проводимости с n- на р-тип, что связывается с изменением условий термодинамического равновесия и частичным реиспарением атомов свинца и/или индия. На толщинных зависимостях свойств при d1 ≈ 20 нм обнаружены экстремумы, наличие которых указывает на квантование дырочного газа. В области толщин с n-типом проводимости наблюдается плавное изменение термоэлектрических свойств с толщиной, что свидетельствует о проявлении классического размерного эффекта и достаточно хорошо описывается в рамках теории Фукса-Зондхеймера.
Размерные эффекты в тонких пленках PbSe, легированного хлором
(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2015) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Кривоногов, С. И.; Матейченко, П. В.
Установлена возможность получения сильно вырожденных (≈ 3·10²⁰ см⁻³) тонких пленок PbSe (d = 5 – 220 нм) с n-типом проводимости методом термического испарения в вакууме кристаллов PbSe, легированных PbCl₂, с последующей конденсацией на подложки (001) KCl. Показано, что пленки обладают высокой степенью однородности, зеренная структура не наблюдается. Получены толщинные зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла RH и электропроводности σ) тонких пленок. В интервале толщин d ≈ 5 ÷ 30 нм наблюдаются осцилляции свойств с ростом d, наличие которых связывается с квантованием электронного газа. Показано, что расчет зависимости S(d) в предположении размерного квантования с учетом вклада нескольких подзон и толщиной зависимости энергии Ферми находится в согласии с экспериментальными данными. В области d > 30 нм наблюдается рост S и σ с толщиной, что связывается с проявлением классического размерного эффекта и интерпретируется в рамках теорий Фукса-Зондхеймера и Майера.
Size effects in lead telluride thin films and thermoelectric properties
(Institute of Thermoelectricity, 2013) Olkhovskaya, S. I.; Rogacheva, E. I.
The influence of thickness d on thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, electric conductivity σ, the Hall coefficient RH, charge carrier mobility μН) of films d = 8 – 170 nm in thickness, prepared by vacuum evaporation of PbTe crystals with lead excess onto (001) KCl substrates coated with Al2O3 layer has been studied. It has been established that films with d < 75 nm possess hole conductivity, and at d > 75 nm carrier transport is determined by n-type charge carriers. The inversion of conductivity sign close to d ≈ 75 nm is attributed to a change in thermodynamic equilibrium conditions in the films as compared to crystal, as well as to material evaporation and condensation features. Oscillations on the d-dependences of the kinetic coefficients of films with p-type conductivity are attributable to quantization of the hole gas of carriers. Calculation of oscillation period Δd using a model of infinitely deep rectangular potential well is in good agreement with the experimentally determined Δd value. For n-type conductivity films the values of kinetic coefficients increase with increase in d, which points to manifestation of a classical size effect.
Dependences of thermoelectric properties on the thickness of thin films of indium doped lead telluride
(Institute of Thermoelectricity, 2014) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Matychenko, P. V.; Dobrotvorskaya, M. V.
Dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the electric conductivity σ, the Hall coefficient RH, the carrier mobilityμ and the thermoelectric power P = S²·σ) on the thickness d (d = 10 – 255 nm) of thin films prepared by vacuum evaporation of indiumdoped PbTe crystals and subsequent condensation on (111) BaF₂ substrates were obtained. With decreasing thickness of films to d ≈ 40 nm, there is n- to p-type inversion of conduction which is related to a change in thermodynamic equilibrium conditions and partial reevaporation of lead and/or indium atoms. Extremes were found on the thickness dependences of properties at d₁ ≈ 20 nm which is indicative of hole gas quantization. In the range of thicknesses with n-type conduction there is a smooth change in thermoelectric properties with thickness which testifies to manifestation of classical size effect and is sufficiently well described in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory.
Size effects in thin n-PbTe films
(STC "Institute for Single Crystals", 2015) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Zubarev, Evgeniy N.
Size effects in chlorine doped PbSe thin films
(Institute of Thermoelectricity, 2015) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Krivonogov, S. I.; Matychenko, P. V.
The possibility of obtaining strongly degenerate (≈ 3·10²⁰ сm⁻³) PbSe thin films (d = 5 – 220 nm) with n-type conductivity by thermal evaporation in vacuum of PbSe crystals doped with PbCl₂, with subsequent condensation onto (001) KCl substrates was established. It was shown that the films had high homogeneity degree, no grain structure was observed. The thickness dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the Hall coefficient RH and the electric conductivity σ) of thin films were obtained. In the thickness range d ≈ 5 ÷ 30 nm, oscillation properties were observed with growth of d that are attributable to electron gas quantization. The calculation of S(d) dependence on the assumption of size quantization with regard to contribution of several subbands and the thickness dependence of the Fermi energy was shown to be in agreement with the experimental data. In the region of d > 30 nm there was growth of S and σ with thickness, which is attributable to manifestation of classical size effect and interpreted in the framework of Fuchs-Sondheimer and Mayer theories.