Вісник № 10
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/18996
Переглянути
2 результатів
Результати пошуку
Документ Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи(НТУ "ХПИ", 2010) Гриднева, Т. В.; Сорока, П. И.; Тертышный, О. А.Встановлені технологічні параметри процесу та розроблені способи одержання силіцій (ІV) оксиду з рисового лушпиння. Проведені термодинамічні, кінетичні та експериментальні дослідження. На підставі термодинамічного аналізу процесу термічної обробки рисового лушпиння (РЛ) встановлена принципова можливість одержання силіцій (ІV) оксиду з РЛ, температурний інтервал існування максимальної концентрації силіцій (ІV) оксиду. На основі проведених експериментальних досліджень визначені технологічні параметри процесу одержання силіцій (ІV) оксиду.Документ Физико-химические основы процесса получения карбида кремния из рисовой шелухи(НТУ "ХПИ", 2010) Белая, А. А.; Сорока, П. И.; Тертышный, О. А.Наведені результати досліджень способу підготовки рисового лушпиння в якості сировини для отримання особливо чистого карбіду кремнію. Вивчені процеси екстрагування органічних складових вихідного матеріалу кислотними розчинниками. Виконаний термодинамічний аналіз процесу термічного піролізу рисового лушпиння. Визначені умови отримання максимальної кількості цільового продукту.