Вісник № 04
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/27137
Переглянути
Документ Влияние уровня освещенности на выходные параметры солнечных элементов на основе CdS/CdTe(НТУ "ХПИ", 2016) Дейнеко, Наталья ВикторовнаПриведены результаты исследований влияния уровня освещенности на выходные параметры солнечных элементов на основеCdS/CdTe с тыльными контактами, изготовленными согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании полученных результатов выходных параметров и световых диодных характеристик обоснован выбор оптимального конструктивно-технологического решения тыльных контактов к солнечным элементам на основе CdS/CdTe. Показано, что использование нанослоя Cu позволяет получить деградационно-стойкие солнечные элементы, которые демонстрирую максимальную эффективность при уровне освещенности характерной для Харьковской области.