Публікації співробітників (НДПКІ "Молнія" НТУ "ХПІ")

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4788

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 13

Кинетическая неустойчивость поверхностных плазмонов при наличии потенциального барьера на границе раздела сред
(НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе, с помощью уравнения Шредингера было исследовано взаимодействие плазменных колебаний с моноэнергетическим потоком заряженных частиц, который проходил сквозь 2D электронный газ. Определен инкремент неустойчивости поверхностных плазмонов. Величина инкремента обратно пропорциональна времени пролета частиц сквозь 2D электронную систему. Получены аналитические решения задач взаимодействия токов, наведенных внешним электромагнитным излучением, с собственными электромагнитными колебаниями структур комплектующих полупроводниковые приборы, в условиях режима неустойчивости (генерации) колебаний.
Возбуждение поверхностных плазмонов при наличии потенциального барьера в условиях воздействия электромагнитного излучения
(НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
Рассмотрено взаимодействие поверхностных плазмонов с потоком заряженных частиц при наличии потенциального барьера, исходя из энергетического принципа получены кинетические уравнения, определяющие изменение числа поверхностных плазмонов, выражения для инкрементов их неустойчивостей с учетом величины потенциального барьера на границе, который приводит к появлению отраженных от границы частиц пучка. Полученные результаты позволяют учитывать вклад отраженной и прошедшей компонент потока частиц в суммарную энергию излучения поверхностных колебаний. Исследованы механизмы взаимодействия потока заряженных частиц с собственными электромагнитными колебаниями двумерного электронного газа, возникновение которого обусловлено наличием потенциального барьера на границе раздела сред.
Влияние потенциального барьера на процессы взаимодействия плазмонов и заряженных частиц на границе раздела сред
(НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
Определены вероятности процессов излучения и поглощения энергии электромагнитных колебаний электронами пучка на границе проводящего твердого тела с учетом потенциального барьера конечной величины, рассматрена. возможность развития неустойчивости колебаний. Учтено влияние конечной величины потенциального барьера на механизм обмена энергией волн и частиц на границе. Получены кинетические уравнения, определяющие изменение числа поверхностных плазмонов, выражения для инкрементов их неустойчивостей с учетом величины потенциального барьера на границе, которую пересекает поток заряженных частиц. Данные результаты позволяют учитывать вклад отраженной и прошедшей компонент потока частиц в суммарную энергию излучения поверхностных колебаний.
Взаимодействие собственных колебаний двумерного (2D) электронного газа с потоком заряженных частиц в условиях действия электромагнитного излучения
(НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе получено кинетическое уравнение для поверхностных плазмонов 2D системы, описывающее их взаимодействие с электронным потоком, движущимся по нормали к границе раздела сред. Предполагается, что газ локализован вблизи дельтовидной потенциальной ямы. Найден инкремент неустойчивости. Величина инкремента обратно пропорциональна времени пролета частиц сквозь 2D электронную систему. Получены аналитические решения задач взаимодействия токов, приведенных внешним электромагнитным излучением, с собственными электромагнитными колебаниями структур комплектующих полупроводниковые приборы, в условиях режима неустойчивости (генерации) колебаний. Определены расчетные соотношения для количественных характеристик обратных отказов (степени отклонения ВАХ от нормы) полупроводниковых приборов в зависимости от параметров внешнего электромагнитного излучения и физических качеств материалов, комплектующих приборы.
Система раннего предупреждения грозовой опасности
(НТУ "ХПИ", 2015) Серков, Александр Анатольевич; Никитин, Сергей Александрович; Кравченко, Владимир Иванович; Князев, Владимир Владимирович
Систематический контроль над состоянием и тенденциями развития грозовой активности определенного региона обусловлен необходимостью минимизации ущерба, наносимого разрядами молнии. При этом особое внимание уделяется достоверности прогноза грозовой активности и времени его формирования. Так малый временной диапазон между формированием достоверного прогноза о грозовой опасности и наступлением неблагоприятных событий не позволяет своевременно принять меры по минимизации наносимого ущерба. Особое внимание уделено достоверности формируемого прогноза. Таким образом, неразрывное сочетание и реализация этих требований позволяет решить задачу оптимального синтеза системы раннего предупреждения грозовой опасности (РПГО).
Моделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Исследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.
Физические модели обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Предложены физические модели появления обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях воздействия электромагнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Влияние неровностей поверхности твердых тел на спектр электронов и плазменных колебаний
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Определен механизм возникновения поверхностных электронных состояний на периодически неровной границе проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электрона. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Проведен анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Воздействие стороннего электромагнитного излучения на механизмы взаимодействия поверхностных колебаний с электронами проводимости полупроводниковых структур
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.