Вісник № 34
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/14343
Переглянути
Документ Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода(НТУ "ХПИ", 2011) Глушко, П. И.; Журавлёв, А. Ю.; Капустин, В. Л.; Семёнов, Н. А.; Хованский, Н. А.; Широков, Б. М.; Шиян, А. В.Описан принцип получения карбида кремния на установке проточного типа. В зависимости от различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl4:C7H8, поступающими в реактор, исследована и изучена морфология SiC слоя. Показано влияние скорости парогазового потока и температуры подложки на скорость осаждения SiC.