Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода
Loading...
Date
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
НТУ "ХПИ"
Abstract
Описан принцип получения карбида кремния на установке проточного типа. В зависимости от
различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl4:C7H8,
поступающими в реактор, исследована и изучена морфология SiC слоя. Показано влияние
скорости парогазового потока и температуры подложки на скорость осаждения SiC.
Is described principle of obtaining silicon carbide on install a flow-through type. Depending on the different ratio between the active components of the gas phase SiCl4: C7H8, has been investigated and studied the morphology of the SiC layer. Shown the influence of velocity steam-gas flow and substrate temperature on deposition rate of SiC.
Is described principle of obtaining silicon carbide on install a flow-through type. Depending on the different ratio between the active components of the gas phase SiCl4: C7H8, has been investigated and studied the morphology of the SiC layer. Shown the influence of velocity steam-gas flow and substrate temperature on deposition rate of SiC.
Description
Citation
Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 34. – С. 26-29.