Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
2 результатів
Результати пошуку
Документ Структурная инженерия вакуумно-дуговых многослойных покрытий ZrN/CrN(Сумський державний університет, 2016) Соболь, Олег Валентинович; Андреев, Анатолий Афанасьевич; Горбань, Виктор Федорович; Мейлехов, Андрей Александрович; Постельник, Анна Александровна; Столбовой, Вячеслав АлександровичДля многослойной системы ZrN/CrN с большим различием по атомным массам и радиационно-стимулированному дефектообразованию металлических составляющих, проанализировано влияние толщины слоев (в нанометровом диапазоне) и подаваемого при осаждении отрицательного потенциала смещения (– Us) на структуру и твердость композиционных вакуумно-дуговых покрытий. Установлено, что при толщине слоев менее 50 нм подача – Us приводит к росту микродеформации в слоях CrN при бомбардировке их ионами Zr с большим атомным радиусом и массой, а в слоях ZrN наблюдается релаксация деформации. Наблюдаемые эффекты объяснены повышением энергии осаждаемых ионизированных частиц при подаче – Us, что определяет радиационно-стимулированное перемешивание на межфазных границах слоев и приводит к падению твердости. Наибольшая твердость 42 ГПа в системе ZrN/CrN достигается при осаждении тонких (20 нм) слоев в отсутствии – Us.Документ Структурная инженерия многослойной системы TiN/CrN, полученной вакуумно-дуговым испарением(Сумський державний університет, 2015) Соболь, Олег Валентинович; Андреев, Анатолий Афанасьевич; Горбань, Виктор Федорович; Столбовой, Вячеслав Александрович; Пинчук, Наталия Владимировна; Мейлехов, Андрей АлександровичМетодами рентгеновской дифрактометрии, электронной микроскопии и микроиндентирования исследованы фазовый состав, структура, субструктура и твердость вакуумно-дуговых многослойных покрытий системы TiN / CrN, полученных в интервале давления азота 1x10 – 5…5x10 – 3 Торр при подаче постоянного и импульсного отрицательного потенциала смещения. Установлено формирование двухфазного состояния с преимущественной ориентацией роста кристаллитов. При высоком давлении (1…5)x10 – 3 Торр и подаче отрицательного постоянного потенциала смещения: Uпп = – 20 В – ось текстуры [100], при – 230 В – ось текстуры [111]. Основываясь на исследованиях субструктурного состояния, установлена связь перехода в сверхтвердое (до 57 ГПа) состояние с уменьшением микродеформации и размера кристаллитов в TiN слоях.