Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Термоелектричнi властивостi твердих розчинiв PbTe-Sb₂Te₃(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2012) Бондаренко, О.; Водоріз, Ольга Станіславівна; Рогачова, Олена ІванівнаПроведено дослiдження залежностей коефiцiєнта Холла Rн та коефiцiєнта Зеєбека S вiд складу твердих розчинiв PbTe-Sb₂Te₃ (0-6 мол.% Sb₂Te₃) за кiмнатної температури. Встановлено, що при введеннi Sb₂Te₃ у телурид свинцю при концентрацiї 0.15 мол.% Sb₂Te₃ вiдбувається змiна типу провiдностi з дiркового на електронний, в iнтервалi складiв 0.25-1 мол.% Sb₂Te₃ Rн та S зменшуються i пiсля цього перестають змiнюватися при подальшому зростаннi концентрацiї Sb₂Te₃. Проаналiзовано можливi механiзми дефектоутворення, що призводять до наявних концентрацiйних залежностей S та Rн.Документ Механічні властивості твердих розчинів PbTe–PbSe(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2008) Водоріз, Ольга Станіславівна; Рогачова, Олена ІванівнаОдержано залежність мікротвердості твердих розчинів на основі телуриду свинцю у напівпровідниковій системі PbTe–PbSe від складу в інтервалі концентрацій 0-3 мол.% PbSe. Дослідження проведено за кімнатної температури на полікристалічних зразках після трьох типів термообробки. Виявлено концентраційні аномалії в інтервалі 0,5–1,2% PbSe і з'ясовано, що підвищення температури відпалу не змінює загального характеру залежності. Наявність концентраційних аномалій пов'язують з критичними явищами, що супроводжують перехід від розчинених до концентрованих твердих розчинів.Документ Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2010) Ольховська, Світлана Іванівна; Водоріз, Ольга Станіславівна; Щуркова, Н.; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом.