Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
20 результатів
Результати пошуку
Документ Вплив температури на термоелектричні властивості полікристалів Bi1-хSbх з малим вмістом вісмуту (х = 0.975 – 1.00)(Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 2019) Дорошенко, Ганна Миколаївна; Храмова, Тетяна Іванівна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Термоелектричні властивості полікристалів Bi2Te3 з малою домішкою Bi2Se3 (0 – 2,5 мол.%) за температури 300 К(ІВВ Луцького національного технічного університету, 2018) Собко, М. Є.; Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна МиколаївнаДокумент Кінетичні властивості полікристалів Bi1-ХSbХ у інтервалі концентрацій х = 0.0475 – 0.095(Львівський національний університет імені Івана Франка, 2017) Богданов, Юрій Сергійович; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Електронні фазові переходи у тонких плівках Bi1-xSbx(Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сіпатов, Олександр ЮрійовичМетою даної роботи було вивчення концентраційних залежностей ТЕ та гальваномагнітних властивостей тонких плівок Bi1-xSbx в інтервалі x = 0 – 0.25. Тонкі плівки Bi1-xSbx товщиною d = (250 ± 10) нм були виготовлені термічним випаровуванням у вакуумі кристалів Bi1-xSbx на (111) слюдяні підкладки, а транспортні властивості (електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, коефіцієнт Холла, рухливість електронів і дірок, магнетоопір) плівок вимірювались за кімнатної температури. Було встановлено, що всі аномалії на концентраційних залежностях властивостей, що спостерігалися раніше в масивних кристалах Bi1-xSbx і пов’язувалися із електронними фазовими переходами, відтворювались у тонких плівках. Отримані дані, з одного боку,– це ще один доказ існування концентраційних особливостей у транспортних властивостях твердих розчинів Bi1-xSbx, а, з другого боку, ці дані вказують на добру відповідність складів вихідних кристалів складам тонких плівок. Одержані результати слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень та прогнозуванні властивостей кристалів і тонких плівок Bi1-xSbx. Бібл. 32, рис. 4.Документ Кінетичні властивості твердих розчинів Bi₁₀₀₋ᵪ Sbᵪ в області малих концентрацій сурми(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2014) Мартинова, Катерина Вікторівна; Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна МиколаївнаДокумент Класичний розмірний ефект у плівках Bi2(Te0.9Se0.1)3(Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Саєнко, С. О.; Сіпатов, Олександр Юрійович; Меньшов, Юрій ВалентиновичДокумент Залежність типу провідності полікристалів Bi2(Te1 xSex)3 від зовнішніх факторів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Мартинова, Катерина Вікторівна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Вплив шорсткості підкладки на коефіцієнт Зеебека тонких плівок Bi₂(Te₀.₇Se₀.₃)₃(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Саєнко, С. О.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Поведінка електропровідності полікристалів Bi1-xSbx (х = 0.06 - 0.08) у інтервалі температур 77 – 300 К(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2018) Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна МиколаївнаДокумент Екстремальна поведінка термоелектричних властивостей твердих розчинів Sb1 XBiX(Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова, 2015) Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сосницька, Н. В. ; Рогачова, Олена Іванівна