Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
21 результатів
Результати пошуку
Документ Автоматизированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2014) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Харченко, Н. М.; Лукьянов, Евгений АлександровичДокумент Светодиодно-галогеновый осветитель(Сумський державний університет, 2015) Полежаева, О. В.; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил ВалерьевичДокумент Компьютеризированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик(Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Прокопенко, Дмитрий Сергеевич; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил ВалерьевичДокумент Применение импульсного осветителя для контроля пространственного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых фотоэлектрических преобразователях(Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Иванов, А. Л.; Хрипунов, Геннадий СеменовичДокумент Автоматизированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов(Пермский национальный исследовательский политехнический университет, 2015) Прокопенко, Дмитрий Сергеевич; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил ВалерьевичДокумент Создание и апробация автоматизированного комплекса для измерения вольт-амперных характеристик(Вінницький національний технічний університет, 2014) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил ВалерьевичДокумент Исследование рабочих характеристик автоматизированного имитатора солнечного излучения(Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Полежаева, О. В.; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил ВалерьевичДокумент Разработка системы автоматизации измерений параметров полупроводниковых приборов(Чернігівський національний технологічний університет, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил ВалерьевичОсновным методом определения параметров полупроводниковых приборов является метод измерения и аналитической обработки их вольтамперных характеристик (ВАХ). Существующие на сегодняшний день измерительные комплексы для реализации этого метода представляют собой дорогие и сложные системы, которые экономически не выгодно использовать в условиях отечественного производства. В работе разработан экономичный автоматизированный измерительный комплекс ВАХ на основе микроконтроллерной системы управления с соответствующим программным обеспечением, позволяющий в связке с компьютером проводить экспрессную аттестацию фотоэлектрических преобразователей и полупроводниковых приборов по их вольтамперным характеристикам. Апробация комплекса показала его способность проводить измерения ВАХ с достаточно высокой точностью при средней погрешности измерения не больше 1 %.Документ Кестеритные слои, полученные сульфуризацией электроосажденных металлических прекурсоров(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Клочко, Наталья Петровна; Момотенко, Александра Витальевна; Любов, Виктор Николаевич; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман ВалентиновичИсследованы фазовый состав, кристаллическая структура и морфология поверхности электрохимически осажденных стопок из пленок меди, олова и цинка в качестве металлических прекурсоров. Выполнен подбор оптимальных последовательностей чередования металлических пленок в прекурсорах и атомных соотношений компонентов электроосажденных прекурсоров, обеспечивающих максимальное содержание и приемлемые структурные параметры кристаллической фазы кестерита в слоях, синтезированных в процессе сульфуризации. Представлены результаты синтеза кестеритных слоев путем сульфуризации прекурсоров. Методом количественного рентген-дифрактометрического анализа определено содержание кестерита Cu₂ZnSnS₄ в синтезированных слоях. Исследованы оптические свойства синтезированного образца, содержащего 85 % фазы кестерита. Показаны направления усовершенствования предлагаемой технологии с целью создания базовых кестеритных слоев для перспективных эффективных, дешевых и доступных солнечных элементов нового поколения.Документ Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова(Сумський державний університет, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Момотенко, Александра Витальевна; Любов, Виктор Николаевич; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман ВалентиновичРабота посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »