Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
9 результатів
Результати пошуку
Документ Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктур із оксиду цинку і срібла(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2018) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Корсун, Валерія Євгеніївна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Любов, Віктор МиколаєвичСпосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктур із вкритих наночастинками срібла (HЧAg) масивів нанострижнів оксиду цинку (1-DZnO) із конфігурацією шарів "провідна підкладка|(НЧА@1-DZnO)|тильний контакт". При цьому формування наноструктурованих масивів нанострижнів ZnO здійснюють електроосадженням в імпульсному режимі, а для нанесення наночастинок срібла на поверхню ZnO використовують срібний золь. Контакти виготовляють із плівок алюмінію, які формують за допомогою вакуумного осадження Аl із застосуванням тіньової маски на провідній підкладці і на верхніх торцях вкритих HЧAg наноструктурованих масивів нанострижнів ZnO (тильний контакт) шляхом вакуумного випаровування алюмінію під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють з боку підкладки із прозорого для ближнього ультрафіолетового випромінювання (БУФВ) скла, вкритого прозорою для БУФВ електропровідною плівкою.Документ Спосіб виготовлення омічних плівкових контактів до йодиду міді(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2019) Петрушенко, Сергій Іванович; Дукаров, Сергій Валентинович; Клочко, Наталя Петрівна; Жадан, Дмитро Олегович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Хрипунова, Аліна Леонідівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Любов, Віктор МиколайовичСпосіб виготовлення омічних плівкових контактів до йодиду міді шляхом вакуумного випаровування. Корисна модель належить до напівпровідникової електроніки та може бути використана для виготовлення омічних контактів до напівпровідника p-типу йодиду міді, який є функціональним матеріалом сучасних електронних, оптоелектронних та термоелектричних приладів.Документ Спосіб підвищення ККД кремнієвого фотоелектричного перетворювача з вертикальними діодними комірками(ДП "Український інститут промислової власності", 2013) Стребков, Дмитро Семенович; Поляков, Володимир Іванович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичСпосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів включає їх розміщнення у однорідному стаціонарному магнітному полі з вектором магнітної індукції.Документ Світлодіодно-галогеновий освітлювач(ДП "Український інститут промислової власності", 2014) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лук'янов, Євген ОлександровичДокумент Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів Cu₂ZnSnS₄ в розбірному реакторі(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2015) Момотенко, Олександра Віталіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій СеменовичСпосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів Cu₂ZnSnS₄ в розбірному реакторі шляхом пошарового електроосадження міді, олова та цинку з водних електролітів і наступним вакуумним відпалом в реакторі в парах сірки (сульфурізацією). Електроосаджені металеві шари збагачують цинком і збіднюють міддю. Процес сульфурізації проводять в розбірному реакторі багаторазового використання за умов пересиченої пари сірки.Документ Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2016) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Клочко, Наталя Петрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Любов, Віктор МиколаєвичСпосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктурованих масивів цинк оксиду із конфігурацією шарів "провідна підкладка|наноZnO|тильний контакт". Формування наноструктурованих масивів ZnO здійснюють технологією електроосадження в імпульсному режимі із подальшим відпалом на повітрі при температурі 240-260 °C протягом 3-6 хв. Тильні контакти виконані у вигляді плівки алюмінію, сформованої вакуумним осадженням на верхніх торцях наноструктурованих масивів ZnO шляхом випаровування Al під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють зі сторони підкладки з прозорого для ультрафіолету скла, вкритого прозорою для УФ електропровідною плівкою.Документ Світловипромінююча комірка(НТУ "ХПІ", 2013) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій СеменовичСвітловипромінююча комірка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування. Матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій комірціДокумент Спосіб відновлювання плівкових сонячних елементів, що зазнали деградації(НТУ "ХПІ", 2011) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лісачук, Георгій Вікторович; Дейнеко, Наталя ВікторівнаСпосіб відновлювання плівкових СЕ, що зазнали деградації, та виготовлені на основі сульфіду і телуриду кадмію, заснований на інтенсифікації процесів транспорту атомів міді, перебудові комплексів точкових дефектів, що містять мідь, фазовому перетворенні частки СuТе у Сu1,4Tе, зменшенні опору шару CdS та електродифузії у абсорбер аніонів сірки і міжвузловинних катіонів CuCd-, який відрізняється тим, що затемнений СЕ витримують протягом не менше 120 хвилин у електричному полі, наведеному зовнішньою постійною напругою, величиною (0,5-0,9) В, але не більше напруги холостого ходу СЕ, полярність якої відповідає прямому зміщенню n-р гетеропереходу СЕДокумент Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача(НТУ "ХПІ", 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лісачук, Георгій ВікторовичСпосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.