Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
14 результатів
Результати пошуку
Документ Вплив фізико-технічних режимів магнетронного розпилення на структуру та оптичні властивості плівок CdS та CdTe(ПП Щербатих О. В., 2016) Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій ІгоровичДокумент Оптичні властивості та морфологія поверхні плівок CdTe, отриманих магнетроним розпиленням(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2018) Доброжан, Андрій Ігорович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Галина ІванівнаДокумент Роль курсу загальної фізики у процесі реформування вищої технічної освіти в Україні(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Петренко, Ліна Георгіївна; Дьяконенко, Ніна Леонідівна; Білозерцева, В. І.; Копач, Галина ІванівнаДокумент Вплив гелієвої плазми на структуру та оптичні властивості шарів CdTe(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Костюченко, Є. Р.; Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина ІванівнаДокумент Структура і оптичні властивості плівок CdTe, отриманих методом магнетронного розпилення(Одеський національний університет ім. І. І. Мeчникова, 2016) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій ІгоровичДля створення промислової технології отримання тонких плівок CdTe для базових шарів сонячних елементів та оптоелектронних сенсорів досліджено вплив фізико-технологічних режимів конденсації методом магнетронного розпилення на постійному струмі на кристалічну структуру та оптичні властивості вирощених плівок телуриду кадмію. З'ясовано, що при тиску інертного газу Рарг = 0,9-1 Па, струмі розряду I = 80 мА і напрузі на магнетроні V = 600 В нанесення плівок CdTe методом магнетронного розпилення на постійному струмі на протязі 25 хв. дозволяє отримувати текстуровані шари CdTe гексагональної модифікації, товщина яких 4900-5100 нм і ширина забороненої зони 1,52‑1,54 еВ. Такі плівки телуриду кадмію інтенсивно поглинають світло в ІК області спектру. Після "хлоридної" обробки і послідуючого відпалу на повітрі в результаті фазового переходу вюртцитсфалерит отримані плівки CdTe містять тільки стабільну кубічну модифікацію.Документ Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення(Сумський державний університет, 2017) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Зайцев, Роман Валентинович; Доброжан, Андрій Ігорович; Харченко, Микола МихайловичДосліджено кристалічну структуру та оптичні властивості полікристалічних шарів CdTe, отриманих методом нереактивного магнетронного розпилення при постійному струмі на поліімідних плівках. В результаті аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик отримані значення вихідних параметрів гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Показано, що проведення "хлоридної" обробки шарів CdTe, отриманих при Тп < 300 °C, сприяє фазовому переходу в’юртцит-сфалерит та знижує коефіцієнт пропускання плівок на 20-40 % в інфрачервоній області спектру, не змінюючи значення ширини забороненої зони CdTe. Охолодження гетеросистеми ITO/CdS до кімнатної температури перед нанесенням базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів до необхідної температури підкладки у вакуумі призводять до зростання значень напруги холостого ходу та коефіцієнту корисної дії досліджених гнучких сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.Документ Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe(Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, 2019) Копач, Галина Іванівна; Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мигущенко, Руслан Павлович; Кропачек, Ольга Юріївна; Зайцев, Роман Валентинович; Меріуц, Андрій ВолодимировичДосліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.Документ Вплив електронного випромінювання на структуру та оптичні властивості шарів сульфіду кадмію(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Шкода, Д. С.; Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина ІванівнаДокумент Вплив електронного випромінювання на структуру та оптичні властивості шарів телуриду кадмію(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола МихайловичДокумент Структура та оптичні властивості полікристалічних базових шарів CdTe, одержаних магнетронним розпиленням, для гнучких сонячних елементів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2018) Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола Михайлович