Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
2 результатів
Результати пошуку
Документ Теоретичні основи електротехніки(2023) Казаковцева, Людмила Вікторівна; Костюков, Іван Олександрович; Кропачек, Ольга Юріївна; Лавріненко, Ольга Валеріївна; Литвиненко, Світлана АнатоліївнаПослідовно наведені 20 блоків по 5 задач з відповідями для самостійного розв’язання під час підготовки до першого етапу Всеукраїнської студентської олімпіади з дисципліни «Теоретичні основи електротехніки». У посібнику стисло поданий необхідний теоретичний матеріал, що охоплює теми «Електричні кола постійного струму», «Електричні кола змінного струму», «Трифазні електричні кола». Для студентів електротехнічних спеціальностей.Документ Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe(Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, 2019) Копач, Галина Іванівна; Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мигущенко, Руслан Павлович; Кропачек, Ольга Юріївна; Зайцев, Роман Валентинович; Меріуц, Андрій ВолодимировичДосліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.