Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Технологія кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями(НТУ "ХПІ", 2015) Панчева, Ганна МихайлівнаДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.17.01 – технологія неорганічних речовин. – Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", Харків, 2015 р. Дисертація присвячена розробці фізико-хімічних основ технології кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями, які можуть бути використані для виготовлення фотоелектричних перетворювачів на їх основі. На підставі термодинамічних розрахунків взаємодії компонентів системи CdCl₂ – NH₃ – NaOH – CS(NH₂)₂ та вивчення кінетичних закономірностей встановлено механізм утворення плівки CdS, що надало змогу керувати процесом осадження шляхом змінення концентрації компонентів системи. Обгрунтовано концентраційні межі компонентів обраної системи та розглянуто вплив легуючих домішок на морфологію отриманих покриттів, фотоелектричні показники отриманих плівок. Проведено дослідження впливу технологічних параметрів на процес осадження кадмійвмісних багатошарових покриттів: температури, рН розчину, концентрації аміаку, хлориду кадмію, тіокарбаміду та часу осадження. Запропонована технологічна схема процесу та реактор для осадження, який дозволяє здійснити процес нанесення плівки з раціональними витратами реагентів та енергоресурсів. Розроблено принципову технологічну схему та розраховано техніко-економічні показники.Документ Технологія кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями(НТУ "ХПІ", 2015) Панчева, Ганна МихайлівнаДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.17.01 – технологія неорганічних речовин. – Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", Харків, 2015 р. Дисертація присвячена розробці фізико-хімічних основ технології кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями, які можуть бути використані для виготовлення фотоелектричних перетворювачів на їх основі. На підставі термодинамічних розрахунків взаємодії компонентів системи CdCl₂ – NH₃ – NaOH – CS(NH₂)₂ та вивчення кінетичних закономірностей встановлено механізм утворення плівки CdS, що надало змогу керувати процесом осадження шляхом змінення концентрації компонентів системи. Обгрунтовано концентраційні межі компонентів обраної системи та розглянуто вплив легуючих домішок на морфологію отриманих покриттів, фотоелектричні показники отриманих плівок. Проведено дослідження впливу технологічних параметрів на процес осадження кадмійвмісних багатошарових покриттів: температури, рН розчину, концентрації аміаку, хлориду кадмію, тіокарбаміду та часу осадження. Запропонована технологічна схема процесу та реактор для осадження, який дозволяє здійснити процес нанесення плівки з раціональними витратами реагентів та енергоресурсів. Розроблено принципову технологічну схему та розраховано техніко-економічні показники.Документ Фотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадмію(НТУ "ХПІ", 2010) Гринь, Григорій Іванович; Панчева, Ганна Михайлівна; Козуб, П. А.; Охремчук, Є. В.; Лавренко, Антоніна ОлександрівнаThe paper describers the study of semiconductor parameters for elements on the basis of cadmium sulfide which are characterized by the simplicity of production technology and the low production cost. When carrying out the experimental research of CdS-based films photoelectrical characteristics we created Ti/CdS heterocontacts and studied their properties on the basis of current-voltage characteristics. In the course of open circuit voltage (Uxx = 0,45…0,49 V) and short circuit current (ікз = 4,04…6,32 mA/dm2) measurement we determined photoelectric effect presence.