Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Термоэлектрические и механические свойства полупроводниковых твердых растворов (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ (x = 0-0.07)(Інститут термоелектрики НАН України, 2016) Рогачева, Елена Ивановна; Мартынова, К. В.; Бондаренко, А. С.Исследованы зависимости термоэлектрических свойств и микротвердости от состава поликристаллических полупроводниковых твердых растворов (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ в интервале концентраций x = 0-0.07 при комнатной температуре. Обнаружен резкий рост микротвердости при одновременном снижении коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и электропроводности при увеличении содержания сурьмы до x = 0.005-0.01, после чего при дальнейшем возрастании x до x = 0.01-0.015 характер зависимостей изменяется на обратный. Наблюдаемый эффект связывается с высокой степенью разупорядочения кристаллической решетки при введении первых порций примеси и последующими процессами релаксации при образовании перколяционных каналов в примесной подсистеме кристалла. При дальнейшем увеличении x коэффициент Холла и коэффициент Зеебека практически не изменяются с составом, а наблюдаемый при этом более сложный характер зависимости микротвердости и электропроводности от x интерпретируется как проявление процессов ближнего упорядочения в твердом растворе.Документ Термоэлектрические свойства поликристаллических твердых растворов Bi₁₋ₓSbₓ в интервале концентраций x = 0-0.25(Інститут термоелектрики НАН України, 2016) Дорошенко, А. Н.; Рогачева, Елена Ивановна; Дроздова, Анна Анатольевна; Мартынова, К. В.; Меньшов, Ю, В.Проведено детальное исследование зависимости термоэлектрических свойств поликристаллических твердых растворов Bi₁₋ₓSbₓ от состава в широком интервале концентраций (x = 0-0.25) при комнатной температуре. Объекты исследования – литые образцы различного состава, полученные ампульным методом в одном технологическом цикле, состоящем в охлаждении ампул с расплавами на воздухе и последующем длительном гомогенизирующем отжиге при температуре (520 ± 5) К в течение 720 часов. Показано, что зависимости свойств от состава носят отчетливо выраженный немонотонный характер. Подтверждено наличие концентрационных аномалий термоэлектрических свойств, наблюдаемых ранее в интервале x = 0-0.1 на литых образцах после других видов термической обработки и интерпретируемых как проявление электронных фазовых переходов. Сложный характер зависимостей при x > 0.1 объясняется качественными изменениями в зонной структуре Bi₁₋ₓSbₓ при определенных критических составах, изменением относительного вклада в проводимость носителей заряда из различных энергетических зон при изменении концентрации сурьмы и высокой чувствительностью энергетического спектра и физических свойств Bi₁₋ₓSbₓ к внешним воздействиям.Документ Размерные эффекты в тонких пленках GeTe(Інститут термоелектрики НАН України, 2014) Рогачева, Елена Ивановна; Николаенко, А. А.; Водорез, Ольга Станиславовна; Сипатов, А. Ю.; Григоров, С. Н.; Федоров, А. Г.Исследованы зависимости электропроводности σ, коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла Rн, подвижности носителей заряда μн и термоэлектрической мощности P = S2σ от толщины d (d = 5-210 нм) тонких пленок GeTe, выращенных методом термического испарения в вакууме кристаллов GeTe с последующей конденсацией на подложки (001) KCl при температуре TS = 520 К. Для пленок различных толщин получены температурные зависимости σ, Rн и μн в интервале 80-300 К и определен степенной коэффициент ν в зависимости μн(Т). Методами электронной микроскопии и электронографии показано, что пленки обладают ромбоэдрической структурой, отвечающей низкотемпературной α-модификации GeTe, и растут с преимущественной ориентацией (111) и (111) (111) || (001) KСl. Установлено, что с ростом толщины пленок до ~ 100-150 нм значения σ, μн и ν монотонно увеличиваются, зависимости Rн(d), S(d) и P(d) имеют вид кривых с максимумом при ~ 75 нм, а при дальнейшем увеличении d кинетические коэффициенты практически не изменяются. Наличие зависимости свойств от толщины пленок свидетельствует о проявлении в пленках GeTe классического размерного эффекта. Теоретический расчет зависимости σ(d), проведенный в рамках теории Фукса-Зондгеймера, хорошо согласуется с экспериментальными данными. Установлено, что концентрации дырок в пленках ниже, а значения S и P выше, чем в массивном кристалле. Максимальные значения Р достигаются при d ~ 75 нм.