Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
10 результатів
Результати пошуку
Документ Вплив фізико-технічних режимів магнетронного розпилення на структуру та оптичні властивості плівок CdS та CdTe(ПП Щербатих О. В., 2016) Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій ІгоровичДокумент Виготовлення базових шарів гнучких сонячних елементів методом осадження у квазізамкненому об'ємі плівок сульфіду та телуриду кадмію(Луцький національний технічний університет, 2019) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Дроздов, Антон Миколайович; Дроздова, Ганна АнатоліївнаЕкспериментальними дослідженнями критичних температур конденсації при осадженні плівок сульфіду та телуриду кадмію в квазізамкненому об'ємі визначені режими, в яких осадження відбувається в умовах близьких до термодинамічно рівноважних, а температура підкладки нижче температури термодеструкції поліімідних плівок фірми Upilex. Для технічної реалізації цих умов розроблена адаптована до існуючого вакуумного обладнання підприємств електронної промисловості технологічна оснастка, що дозволяє в єдиному технологічному циклі послідовно осаджувати шари сульфіду і телуриду кадмію в умовах близьких до термодинамічно рівноважних. При температурі осадження 434 °С на поліімідних підкладках з плівковим шаром ITO поверх якого нанесений нанорозмірний прошарок ZnO були отримані шари CdS товщиною 0,3 мкм стабільної гексагональної модифікації. На поверхні шарів CdS при температурах нижче 440 °С були сформовані шари CdTe товщиною 4 мкм стабільної кубічної модифікації. Досягнуті параметри кристалічної структури плівок сульфіду та телуриду кадмію, виготовлених методом квазізамкненого об’єму дозволяють використовувати такі напівпровідникові шари в якості базових при розробці високоефективних гнучких сонячних елементів.Документ Структура і оптичні властивості плівок CdTe, отриманих методом магнетронного розпилення(Одеський національний університет ім. І. І. Мeчникова, 2016) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій ІгоровичДля створення промислової технології отримання тонких плівок CdTe для базових шарів сонячних елементів та оптоелектронних сенсорів досліджено вплив фізико-технологічних режимів конденсації методом магнетронного розпилення на постійному струмі на кристалічну структуру та оптичні властивості вирощених плівок телуриду кадмію. З'ясовано, що при тиску інертного газу Рарг = 0,9-1 Па, струмі розряду I = 80 мА і напрузі на магнетроні V = 600 В нанесення плівок CdTe методом магнетронного розпилення на постійному струмі на протязі 25 хв. дозволяє отримувати текстуровані шари CdTe гексагональної модифікації, товщина яких 4900-5100 нм і ширина забороненої зони 1,52‑1,54 еВ. Такі плівки телуриду кадмію інтенсивно поглинають світло в ІК області спектру. Після "хлоридної" обробки і послідуючого відпалу на повітрі в результаті фазового переходу вюртцитсфалерит отримані плівки CdTe містять тільки стабільну кубічну модифікацію.Документ Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення(Сумський державний університет, 2017) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Зайцев, Роман Валентинович; Доброжан, Андрій Ігорович; Харченко, Микола МихайловичДосліджено кристалічну структуру та оптичні властивості полікристалічних шарів CdTe, отриманих методом нереактивного магнетронного розпилення при постійному струмі на поліімідних плівках. В результаті аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик отримані значення вихідних параметрів гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Показано, що проведення "хлоридної" обробки шарів CdTe, отриманих при Тп < 300 °C, сприяє фазовому переходу в’юртцит-сфалерит та знижує коефіцієнт пропускання плівок на 20-40 % в інфрачервоній області спектру, не змінюючи значення ширини забороненої зони CdTe. Охолодження гетеросистеми ITO/CdS до кімнатної температури перед нанесенням базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів до необхідної температури підкладки у вакуумі призводять до зростання значень напруги холостого ходу та коефіцієнту корисної дії досліджених гнучких сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.Документ Вплив електронного випромінювання на структуру та оптичні властивості шарів телуриду кадмію(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола МихайловичДокумент Структура та оптичні властивості полікристалічних базових шарів CdTe, одержаних магнетронним розпиленням, для гнучких сонячних елементів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2018) Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола МихайловичДокумент Вплив хлоридної обробки на прозорість базових шарів CdTe для фотоперетворювачів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2018) Суддя, О. В.; Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола МихайловичДокумент Оптичні властивості тонких плівок CdS, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2017) Суддя, О. В.; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина ІванівнаДокумент Структура та оптичні властивості плівок CdS, отриманих методом магнетронного розпилення(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2017) Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола МихайловичДокумент Методичні вказівки до лабораторних робіт "Визначення типу, концентрації і рухливості основних носіїв заряду в напівпровідниках" з розділу "Дослідження електронних параметрів напівпровідників термоелектричним та гальваномагнітними методами" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів"(НТУ "ХПІ", 2009) Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман ВалентиновичМетодичні вказівки до лабораторних робіт з розділу "Дослідження електронних параметрів напівпровідників термоелектричним та гальвано-магнітними методами" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів" стосуються чотирьох лабораторних робіт: "Визначення типу основних носіїв заряду в напівпровідниках термоелектричним методом", "Визначення параметрів основних носіїв заряду в напівпровідниках шляхом виміру електрорушійної сили Холла", "Визначення параметрів основних носіїв заряду в напівпровідниках методом Ван-дер-Пау" і "Визначення рухливості основних носіїв заряду в напівпровідниках шляхом виміру геометричного магнетоопору"