Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
2 результатів
Результати пошуку
Документ Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения(Наука, 2016) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Мягченко, Юрий Александрович; Мельничук, Е. Е.Показана возможность создания высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка недорогим и приспособленным для крупномасштабного производства методом импульсного электроосаждения из водных растворов без использования каких-либо водоотталкивающих покрытий. Определены условия осаждения высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка, проявляющих "эффект лепестка розы", с определенными морфологией, оптическими свойствами, кристаллической структурой и текстурой. Изготовленные нами наноструктуры ZnO являются перспективным для микро- и наноэлектроники адаптивным материалом, способным под воздействием ультрафиолетового облучения обратимо переходить в гидрофильное состояние.Документ Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди(Наука, 2017) Клочко, Наталья Петровна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Волкова, Неонила Дмитриевна; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.; Жадан, Дмитрий Олегович; Отченашко, А. Н.В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365−370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление, последовательное сопротивление, коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера p−n-перехода 8 = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода η = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 < U < 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения составили для механизма рекомбинации и туннельного переноса и для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.