Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
9 результатів
Результати пошуку
Документ Вплив фізико-технічних режимів магнетронного розпилення на структуру та оптичні властивості плівок CdS та CdTe(ПП Щербатих О. В., 2016) Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій ІгоровичДокумент Structure and Optical Properties CdS and CdTe Films on Flexible Substrate Obtained by DC Magnetron Sputtering for Solar Cells(Сумський державний університет, 2017) Kopach, G. I.; Mygushchenko, R. P.; Khrypunov, G. S.; Dobrozhan, A. I.; Harchenko, M. M.The paper describes investigate of crystal structure and optical characteristics of the CdS transparent window layers and the CdTe base layers, obtained by direct current magnetron sputtering on glass or polyimide substrate, and output parameters the flexible thin film solar cells based on them. The band gap in obtained hexagonal CdS films is Eg = 2.38-2.41 eV and optical transparency of CdS films is 80-90%. Conducting chloride treatment of CdTe layers, obtained at Tп < 300 °C, promotes wurtzite-sphalerite phase transition. Cooling ITO/CdS layers to room temperature before CdTe deposition, removal of the air and subsequent heating in vacuum to the required temperature of the substrate leads to an increase of the energy conversion efficiency and open circuit voltage of the polyimide/ITO/CdS/CdTe/Cu/Ag flexible solar cell.Документ Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe(Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, 2019) Копач, Галина Іванівна; Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мигущенко, Руслан Павлович; Кропачек, Ольга Юріївна; Зайцев, Роман Валентинович; Меріуц, Андрій ВолодимировичДосліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.Документ Оптичні властивості тонких плівок CdS, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2017) Суддя, О. В.; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина ІванівнаДокумент Chemical deposition of CdS films from ammoniac-thiourea solutions(Технологический центр, 2018) Pancheva, Hanna; Khrystych, Olena; Mykhailova, Evgeniia; Ivashchenko, Maryna; Pilipenko, AlexeiThis paper investigates the process of chemical deposition of CdS films from ammonia-thiourea solutions. It was established that a change in the turbidity of solution occurs in the process of chemical deposition. The results of visual observations and measurement of turbidity of solution allowed us to establish that these dependences could be used to monitor the status of the process. Visual observations correlate with the obtained dependences for turbidity and suggest that the chemical deposition of CdS includes the accumulation of colloidal-dispersed precipitate in the volume of solution, agglomeration of CdS particles, and a stationary mode of the CdS film growth at the surface of a sample. The first stage of the process is matched by a sharp increase in the turbidity of solution; the second stage is accompanied by the emergence of a maximum in the dependence. No significant change in turbidity occurs at the third stage. The observation of morphology of the resulting precipitate allowed us to establish working concentrations of reagents in solution, which ensure obtaining a high-quality CdS film with a thickness not less than 100 μm. The working concentrations of cadmium chloride, ammonia, and thiourea are, respectively, 1.8, 0.6, and 8.4 g·l⁻¹. It was assumed that the CdS formation is accompanied by the formation of thiourea. This is confirmed by data on the analysis of a working solution. An analysis of the solution revealed high concentrations of the CO₃²⁻ ions, which are a product of the thiourea decomposition. The data obtained are a preliminary stage in the development of a technology of chemical deposition of CdS films from ammonia-thiourea solutions.Документ Структура та оптичні властивості плівок CdS, отриманих методом магнетронного розпилення(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2017) Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола МихайловичДокумент Технологія кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями(НТУ "ХПІ", 2015) Панчева, Ганна МихайлівнаДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.17.01 – технологія неорганічних речовин. – Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", Харків, 2015 р. Дисертація присвячена розробці фізико-хімічних основ технології кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями, які можуть бути використані для виготовлення фотоелектричних перетворювачів на їх основі. На підставі термодинамічних розрахунків взаємодії компонентів системи CdCl₂ – NH₃ – NaOH – CS(NH₂)₂ та вивчення кінетичних закономірностей встановлено механізм утворення плівки CdS, що надало змогу керувати процесом осадження шляхом змінення концентрації компонентів системи. Обгрунтовано концентраційні межі компонентів обраної системи та розглянуто вплив легуючих домішок на морфологію отриманих покриттів, фотоелектричні показники отриманих плівок. Проведено дослідження впливу технологічних параметрів на процес осадження кадмійвмісних багатошарових покриттів: температури, рН розчину, концентрації аміаку, хлориду кадмію, тіокарбаміду та часу осадження. Запропонована технологічна схема процесу та реактор для осадження, який дозволяє здійснити процес нанесення плівки з раціональними витратами реагентів та енергоресурсів. Розроблено принципову технологічну схему та розраховано техніко-економічні показники.Документ Технологія кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями(НТУ "ХПІ", 2015) Панчева, Ганна МихайлівнаДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.17.01 – технологія неорганічних речовин. – Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", Харків, 2015 р. Дисертація присвячена розробці фізико-хімічних основ технології кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями, які можуть бути використані для виготовлення фотоелектричних перетворювачів на їх основі. На підставі термодинамічних розрахунків взаємодії компонентів системи CdCl₂ – NH₃ – NaOH – CS(NH₂)₂ та вивчення кінетичних закономірностей встановлено механізм утворення плівки CdS, що надало змогу керувати процесом осадження шляхом змінення концентрації компонентів системи. Обгрунтовано концентраційні межі компонентів обраної системи та розглянуто вплив легуючих домішок на морфологію отриманих покриттів, фотоелектричні показники отриманих плівок. Проведено дослідження впливу технологічних параметрів на процес осадження кадмійвмісних багатошарових покриттів: температури, рН розчину, концентрації аміаку, хлориду кадмію, тіокарбаміду та часу осадження. Запропонована технологічна схема процесу та реактор для осадження, який дозволяє здійснити процес нанесення плівки з раціональними витратами реагентів та енергоресурсів. Розроблено принципову технологічну схему та розраховано техніко-економічні показники.Документ Фотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадмію(НТУ "ХПІ", 2010) Гринь, Григорій Іванович; Панчева, Ганна Михайлівна; Козуб, П. А.; Охремчук, Є. В.; Лавренко, Антоніна ОлександрівнаThe paper describers the study of semiconductor parameters for elements on the basis of cadmium sulfide which are characterized by the simplicity of production technology and the low production cost. When carrying out the experimental research of CdS-based films photoelectrical characteristics we created Ti/CdS heterocontacts and studied their properties on the basis of current-voltage characteristics. In the course of open circuit voltage (Uxx = 0,45…0,49 V) and short circuit current (ікз = 4,04…6,32 mA/dm2) measurement we determined photoelectric effect presence.