Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
6 результатів
Результати пошуку
Документ Axial coil accelerator of plasma ring in the atmospheric pressure air(National Science Center "Kharkov Institute of Physics and Technology", 2019) Korytchenko, K. V.; Bolyukh, V. F.; Rezinkin, O. L.; Burjakovskij, S. G.; Mesenko, O. P.An axial coil accelerator for acceleration of plasma formation having intrinsic magnetic field in the atmosphere is designed. A problem of a round plasma formation in the atmospheric pressure air is solved by electrical wire explosion where an initial form of an exploding wire corresponded to a ring. A vortex current into the created plasma ring is inducted by the coil accelerator to generate intrinsic magnetic field of the plasma formation. This process is synchronized with reduction in the magnetic coupling between the plasma formation and the accelerator coil during the acceleration.Документ Influence of pressure of working atmosphere on the formation of phase-structural state and physical and mechanical properties of vacuum-arc multilayer coatings ZrN/CrN(2016) Sobol, O. V.; Andreev, A. A.; Gorban, V. F.; Stolbovoy, V. A.; Meylekhov, A. A.; Postelnyk, A. A.; Dolomanov, A. V.For multilayer coating system ZrN/CrN determined the effect of the pressure of the working atmosphere of nitrogen (Pɴ), DC (˗Us) and pulse (-Ui) negative bias potential during the deposition and the thickness of the layers in the period on the phase composition, texture, substructural characteristics and physical-mechanical properties. It is found that for Рɴ = (2.2...12)·10-4 Torr in the layers of chromium nitride formed on a lower nitrogen phase with the β-Cr2N simple hexagonal crystal lattice, and in the zirconium nitride layers are formed of a stoichiometric ZrN phase with a cubic lattice. Such a multilayer coating (layer thickness about 50 nm) at the maximum in this range Pɴ = 1.2·10-3 Torr is most solid (39 GPa) with a modulus of elasticity of 268 GPa and the ratio H/E = 0.145. At higher Pɴ, when the layers are formed phase stoichiometric composition with homogeneous crystal lattices (ZrN and СrN) hardness of the composition is not more than 33 GPa. The mechanisms of the effects observed are based on the higher barrier properties of the interphase boundary layers with different types of crystal lattices was discussed.Документ Effect of extraterrestrial solar UV radiation on structure and properties of ZnO films obtained by wet chemical methods(Vasyl Stefanyk Precarpatian National University, 2019) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Khrypunova, A. L.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.Документ Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения(Наука, 2016) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Мягченко, Юрий Александрович; Мельничук, Е. Е.Показана возможность создания высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка недорогим и приспособленным для крупномасштабного производства методом импульсного электроосаждения из водных растворов без использования каких-либо водоотталкивающих покрытий. Определены условия осаждения высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка, проявляющих "эффект лепестка розы", с определенными морфологией, оптическими свойствами, кристаллической структурой и текстурой. Изготовленные нами наноструктуры ZnO являются перспективным для микро- и наноэлектроники адаптивным материалом, способным под воздействием ультрафиолетового облучения обратимо переходить в гидрофильное состояние.Документ Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди(Наука, 2017) Клочко, Наталья Петровна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Волкова, Неонила Дмитриевна; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.; Жадан, Дмитрий Олегович; Отченашко, А. Н.В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365−370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление, последовательное сопротивление, коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера p−n-перехода 8 = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода η = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 < U < 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения составили для механизма рекомбинации и туннельного переноса и для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.Документ Detector artificial neural network. Neurobiological rationale(ФОП Андреєв К. В., 2019) Parzhin, Yu. V.; Rohovyi, A. I.; Nevliudova, V. V.