Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
5 результатів
Результати пошуку
Документ Применение импульсного осветителя для контроля пространственного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых фотоэлектрических преобразователях(Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Иванов, А. Л.; Хрипунов, Геннадий СеменовичДокумент Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения(Наука, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.С целью создания антиотражающих покрытий для солнечных элементов исследованы условия импульсного электрохимического осаждения из водных электролитов наноструктурированных массивов оксида цинка с определенными морфологией, кристаллической структурой и оптическими свойствами на подложках из прозрачного электропроводного диоксида олова и на пластинах монокристаллического кремния со встроенными гомопереходами. Показана возможность получения планарных однослойных антиотражающих покрытий или массивов наностержней этого материала, как имеющих форму шестигранных призм, так и демонстрирующих эффект глаза ночной бабочки.Документ Фазовые превращения при металлизации Ag−In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов(Наука, 2013) Клочко, Наталья Петровна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Момотенко, Александра Витальевна; Харченко, Н. М.; Никитин, В. А.Исследованы условия сращивания кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p−n-переходами с помощью припоя системы Ag−In. Изучались композиции из электроосажденных пленок индия на посеребренных методом трафаретной печати кремниевых пластинах и изготовленные путем послойного электрохимического осаждения пленки серебра и индия на поверхности посеребренных в вакууме кремниевых вертикальных диодных ячеек. Исследование условий электрохимического осаждения, структуры и морфологии поверхности полученных слоев показало, что для гарантированного сращивания допустимо использование 8-минутной термообработки при 400◦C под давлением стопки металлизированных кремниевых пластин, однако соотношение толщин слоев индия и серебра не должно превышать 1 : 3. При выполнении данного условия припой после сращивания пластин имеет структуру InAg3 (или InAg3 с примесью фазы Ag), благодаря чему температура плавления спая превышает 700◦C, что гарантированно обеспечивает функционирование таких солнечных элементов в условиях концентрированного освещения.Документ Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на КПД пленочных соленчных элементов на основе CdS/CdTe(Наука, 2011) Хрипунов, Геннадий Семенович; Копач, Владимир Романович; Мериуц, Андрей Владимирович; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Дейнеко, Наталья ВикторовнаЭффект хранения в течение 48 месяцев и субпоследовательное действие напряжения прямой полярности на КПД тонкопленочных солнечных элементов с исходным n⁺ -ITO/n-CdS/p-CdTe/Cu/Au слоистую структуру изучали методами токовольтажные и емкостные характеристики. На основе этих результатов улучшена физическая модель такого типа солнечных батарей деградация клеток под действием указанных факторов. Условия, обеспечивающие частичное восстановление солнечных элементов эффективность после их деградации под действием прямого вытеснения напряжение n−p гетероперехода меньше напряжения холостого хода солнечных батарей определяются экспериментально.Документ Аппаратная реализация комплекса автоматизированного измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов(Чернігівський національний технологічний університет, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Хрипунов, Геннадий Семенович; Полежаева, О. В.; Прокопенко, Дмитрий Сергеевич