Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
12 результатів
Результати пошуку
Публікація Electronic phase transitions in thin films of Bi1-xSbx solid solutions(Grupo Pacifico, 2018) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.Документ Кінетичні властивості полікристалів Bi1-ХSbХ у інтервалі концентрацій х = 0.0475 – 0.095(Львівський національний університет імені Івана Франка, 2017) Богданов, Юрій Сергійович; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена ІванівнаПублікація Influence of Composition on the Thermoelectric Properties of Bi1-xSbx Thin Films(IOP Publishing Ltd, 2016) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Doroshenko, A. N.; Sipatov, A. Yu.; Dresselhaus, M. S.Документ Електронні фазові переходи у тонких плівках Bi1-xSbx(Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сіпатов, Олександр ЮрійовичМетою даної роботи було вивчення концентраційних залежностей ТЕ та гальваномагнітних властивостей тонких плівок Bi1-xSbx в інтервалі x = 0 – 0.25. Тонкі плівки Bi1-xSbx товщиною d = (250 ± 10) нм були виготовлені термічним випаровуванням у вакуумі кристалів Bi1-xSbx на (111) слюдяні підкладки, а транспортні властивості (електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, коефіцієнт Холла, рухливість електронів і дірок, магнетоопір) плівок вимірювались за кімнатної температури. Було встановлено, що всі аномалії на концентраційних залежностях властивостей, що спостерігалися раніше в масивних кристалах Bi1-xSbx і пов’язувалися із електронними фазовими переходами, відтворювались у тонких плівках. Отримані дані, з одного боку,– це ще один доказ існування концентраційних особливостей у транспортних властивостях твердих розчинів Bi1-xSbx, а, з другого боку, ці дані вказують на добру відповідність складів вихідних кристалів складам тонких плівок. Одержані результати слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень та прогнозуванні властивостей кристалів і тонких плівок Bi1-xSbx. Бібл. 32, рис. 4.Документ Класичний розмірний ефект у плівках Bi2(Te0.9Se0.1)3(Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Саєнко, С. О.; Сіпатов, Олександр Юрійович; Меньшов, Юрій ВалентиновичДокумент Залежність типу провідності полікристалів Bi2(Te1 xSex)3 від зовнішніх факторів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Мартинова, Катерина Вікторівна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Вплив шорсткості підкладки на коефіцієнт Зеебека тонких плівок Bi₂(Te₀.₇Se₀.₃)₃(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Саєнко, С. О.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Поведінка електропровідності полікристалів Bi1-xSbx (х = 0.06 - 0.08) у інтервалі температур 77 – 300 К(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2018) Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна МиколаївнаДокумент Екстремальна поведінка термоелектричних властивостей твердих розчинів Sb1 XBiX(Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова, 2015) Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сосницька, Н. В. ; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Вплив температури на границю сильного та слабого магнітних полів для полікристалів Bi1-хSbх (х = 0.10 - 0.20)(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Дорошенко, Ганна Миколаївна