(Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины, 2009) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Владимир Романович
Приведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения в их приповерхностных областях, как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками.
