Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
10 результатів
Результати пошуку
Документ Одержання порошку вольфраму через електрохімічне перероблення вольфрам-кобальтових псевдосплавів для модифікації арамідної тканини(Національний університет цивільного захисту України, 2022) Тульський, Геннадій Георгійович; Ляшок, Лариса Василівна; Гомозов, Валерій Павлович; Васильченко, О. В.; Скатков, Л. І.Документ Формування нанопористої матриці на основі оксиду алюмінію для напівпровідникових газових сенсорів(Національний університет цивільного захисту України, 2021) Тульський, Геннадій Георгійович; Ляшок, Лариса Василівна; Шевченко, Г. С.; Васильченко, О. В.; Скатков, ЛеонідДокумент Вимірювання оптичної товщини плівок із застосуванням комп’ютерного моделювання на інтерферометрі Лінника(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Сіробаба, М. О.; Дьяконенко, Ніна Леонідівна; Овчаренко, О. П.Документ Наноструктура аморфних плівок(Видавець ПП Щербатих О. В., 2016) Дьяконенко, Ніна Леонідівна; Ликах, В. О.; Білозерцева, В. І.; Корж, Ірина АнатоліївнаДокумент Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення(Сумський державний університет, 2017) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Зайцев, Роман Валентинович; Доброжан, Андрій Ігорович; Харченко, Микола МихайловичДосліджено кристалічну структуру та оптичні властивості полікристалічних шарів CdTe, отриманих методом нереактивного магнетронного розпилення при постійному струмі на поліімідних плівках. В результаті аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик отримані значення вихідних параметрів гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Показано, що проведення "хлоридної" обробки шарів CdTe, отриманих при Тп < 300 °C, сприяє фазовому переходу в’юртцит-сфалерит та знижує коефіцієнт пропускання плівок на 20-40 % в інфрачервоній області спектру, не змінюючи значення ширини забороненої зони CdTe. Охолодження гетеросистеми ITO/CdS до кімнатної температури перед нанесенням базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів до необхідної температури підкладки у вакуумі призводять до зростання значень напруги холостого ходу та коефіцієнту корисної дії досліджених гнучких сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.Документ Розробка композиційних покриттів для медичних імплантатів(Київський національний університет ім. Т. Шевченка, 2015) Старіков, В. В.Документ Спосіб отримання тонких плівок оксиду алюмінію, які містять наноструктурований триоксид вольфраму(ДП "Український інститут промислової власності", 2012) Байрачний, Борис Іванович; Ляшок, Лариса Василівна; Токарєва, Ірина Анатоліївна; Сьомкіна, Олена ВолодимирівнаСпосіб отримання тонких плівок оксиду алюмінію, які містять наноструктурований триоксид вольфраму включає одержання поруватих оксидних плівок шляхом двостадійного анодування алюмінію з подальшим заповненням пор матриці. Заповнення пор проводять просоченням у розчині вольфрамату амонію з подальшим сушінням зразків та термічним розкладом солі до триоксиду вольфраму при температурі 450-500 °C протягом 30-40 хв.Документ Електрохімічний синтез металоксидних темплатів на основі титану(НТУ "ХПІ", 2012) Тегіна, А. Г.; Байрачний, Борис Іванович; Ляшок, Лариса Василівна; Токарєва, Ірина Анатоліївна; Сьомкіна, Олена ВолодимирівнаДокумент Текстура конденсованих пливок на основі міді та алюмінію(НТУ "ХПІ", 2014) Білозеров, Валерій Володимирович; Журбій, А. А.; Зубков, Анатолій Іванович; Луценко, Євген Валентинович; Махатілова, Г. І.Документ Обмежувач струму короткого замикання з надпровідною обмоткою(НТУ "ХПІ", 2012) Данько, Володимир Григорович; Гончаров, Євген ВікторовичУ статті розглянуто обмежувач струму короткого замикання з надпровідною обмоткою і запропоновано метод розрахунку його основних параметрів.