Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
13 результатів
Фільтри
Налаштування
Результати пошуку
Документ Effect of aging on thermoelectric properties of the Bi2Te3 polycrystals and thin films(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2021) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Novak, K. V.; Sipatov, A. Yu.; Khramova, T. I.; Saenko, S. A.The temperature dependences (77-300 K) of the thermoelectric (TE) properties (the Seebeck coefficient S, electrical conductivity σ, Hall coefficient RH, Hall charge mobility μH>, and TE power factor P) were studied for freshly prepared and for exposed to air at room temperature during 5 years p-Bi2Te3 (60.0 at.% Te) and n-Bi2Te3 (62.8 at.% Te) polycrystals and thin films grown from them by thermal evaporation in vacuum. It was found that after aging, in the p- and n-Bi2Te3 bulk crystals and in the n-type film obtained from the n-Bi2Te3 crystal, type of conductivity is reserved but the p-type film obtained from the p-Bi2Te3 crystal, change the type of conductivity from hole to electronic. The activation energies of possible defect states were determined using the RH(T) dependences. After aging, at the temperatures close to room temperature, the p values of n-Bi2Te3 and p-Bi2Te3 polycrystals decreases by ~ 20 %, but p values of the n-type film grown from n-Bi2Te3 crystal increases by 20-30 %. In the p-type film obtained from p-Bi2Te3 polycrystal, and having changed the type of conductivity after aging, the p values exceed the p values of a film obtained from n-Bi2Te3 polycrystal by ~ 35 % at 250 K and by 25 % at 300 K, remaining at these temperatures below the p values for n-Bi2Te3 polycrystal after aging by ~ 15 %.Документ Механічні та термоелектричні властивості напівпровідникових твердих розчинів PbSe1−xTex (x = 0–0,045)(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2020) Водоріз, Ольга Станіславівна; Тавріна, Тетяна Володимирівна; Ніколаєнко, Ганна Олександрівна; Рогачова, Олена ІванівнаОдержано залежності мікротвердості H, коефіцієнта Зеєбека S та електропровідності σ від складу литих і гарячепресованих полікристалів напівпровідникових твердих розчинів заміщення PbSe1−xTex (x = 0–0,045) за кімнатної температури. Встановлено, що всі зразки мають дірковий тип провідності. На залежностях H(x), S(x) і σ(x) спостерігаються концентраційні аномалії властивостей поблизу x = 0,01 та 0,02 як для литих, так і для пресованих зразків. Наявність аномалій пов’язується з ефектами взаємодії атомів в домішковій підсистемі кристалу при переході від розведених до концентрованих твердих розчинів. Показано, що спосіб приготування зразків (литі або гарячепресовані) не впливає на наявність аномальних ділянок на залежностях властивостей від складу твердого розчину, але дещо змінює їх характер. При практичному застосуванні твердих розчинів PbSe1−xTex необхідно приймати до уваги немонотонний характер зміни властивостей.Документ Mechanical and Thermoelectric Properties of PbSe1-xTex Solid Solutions(Ivan Franko National University of Lviv, 2018) Vodoriz, O. S.; Tavrina, T. V.; Rogachova, O. I.The microhardness, Seebeck coefficient and electrical conductivity of PbSe1-xTex (x = 0 – 0.045) solid solutions were investigated at room temperature. In the range of small concentrations of PbTe (in the vicinity of x = 0.01 and x = 0.02) an anomalous decrease in microhardness, increase in Seebeck coefficient and electrical conductivity were registered. The concentration anomalies were interpreted as the transition from diluted to concentrated solid solutions when the interaction between impurity atoms starts to make a significant contribution to the change of the properties of materials.Документ Size effects in thin PbTe films(Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2017) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.Публікація Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films(Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.Документ Thermoelectric properties of cold-pressed (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ semiconductor solid solutions(FOP Panov A. M., 2017) Martynova, K. V.; Rogacheva, E. I.Документ Термоелектричнi властивостi твердих розчинiв PbTe-Sb₂Te₃(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2012) Бондаренко, О.; Водоріз, Ольга Станіславівна; Рогачова, Олена ІванівнаПроведено дослiдження залежностей коефiцiєнта Холла Rн та коефiцiєнта Зеєбека S вiд складу твердих розчинiв PbTe-Sb₂Te₃ (0-6 мол.% Sb₂Te₃) за кiмнатної температури. Встановлено, що при введеннi Sb₂Te₃ у телурид свинцю при концентрацiї 0.15 мол.% Sb₂Te₃ вiдбувається змiна типу провiдностi з дiркового на електронний, в iнтервалi складiв 0.25-1 мол.% Sb₂Te₃ Rн та S зменшуються i пiсля цього перестають змiнюватися при подальшому зростаннi концентрацiї Sb₂Te₃. Проаналiзовано можливi механiзми дефектоутворення, що призводять до наявних концентрацiйних залежностей S та Rн.Документ Вплив магнітного поля на ізотерми коефіцієнта термо-е.р.с. твердих розчинів вісмут-сурма(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2008) Дроздова, Ганна Анатоліївна; Орлова, Дар'я Сергіївна; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено вплив магнітного поля (В = 1 Тл) та температури (80-300 К) на характер залежностей коефіцієнта термо-е.р.с. від складу полікристалічних твердих розчинів Bi–Sb в інтервалі 0-9 ат.% Sb. З'ясовано, що на ізотермах коефіцієнта термо-е.р.с. сплавів Bi–Sb під час вимірювання як у магнітному полі, так і без нього, простежені чітко виражені аномалії, які свідчать про якісні зміни в електронній та ґратковій підсистемах кристала під час зміни складу. Простежено підвищення коефіцієнта термо-е.р.с. у магнітному полі.Документ Особенности концентрационных зависимостей структурных и термоэлектрических свойств в твердых растворах PbTe–PbSe(Інститут термоелектрики НАН України, 2013) Рогачева, Елена Ивановна; Водорез, Ольга СтаниславовнаПредставлены новые экспериментальные результаты и дан обзор ранее полученных авторами данных по исследованию зависимостей структуры, механических, гальвано-магнитных и термоэлектрических свойств от состава изовалентных полупроводниковых твердых растворов PbTe–PbSe в области малых концентраций PbSe (0-5 мол.%), а также по изучению температурных зависимостей гальваномагнитных свойств (80-300 К). Впервые в пределах исследуемого интервала концентраций обнаружены аномальный рост электропроводности, подвижности носителей заряда и степенного коэффициента в температурной зависимости подвижности при увеличении содержания PbSe, а также осциллирующий характер зависимостей ширины рентгеновских линий, микротвердости, коэффициентов Холла и Зеебека от состава. Наблюдаемые эффекты связываются с наличием концентрационного фазового перехода перколяционного типа, предположительно присущего всем твердым растворам, и с процессами самоорганизации, идущими в твердых растворах при переходе к примесному континууму.Публікація Effect of Deviation from Stoichiometry on Thermoelectric Properties of Bi₂Te₃ Polycrystals and Thin Films in the Temperature Range 77-300 K(Сумський державний університет, 2019) Rogacheva, E. I.; Novak, K. V.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.; Budnik, A. V.Bi₂Te₃ semiconductor compound and Bi₂Te₃-based solid solutions are presently among the best lowtemperature thermoelectric materials. One of the methods of controlling the conductivity type and properties of Bi₂Te₃ is changing the stoichiometry of this compound. Earlier, we have obtained the room-temperature dependences of mechanical and thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals on the degree of deviation from stoichiometry. The goal of this work is to investigate the behavior of such dependences at other temperatures. Bismuth telluride polycrystals with compositions in the range of 59.6-67.5 at. % Te were obtained, and for all the crystals the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, electrical conductivity and charge carrier mobility were measured in the temperature range 77-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of kinetic coefficients were plotted. It was found that similar to the room-temperature isotherms, the isotherms at lower temperatures were non-monotonic: they exhibited inversion of the conductivity sign between 60.5 and 61.0 at. % Te and extrema near 60.0 and 63.0 at. % Te. The experimental data are interpreted taking into account changes in the band and defect structures of Bi₂Te₃ under varying stoichiometry. The obtained results make it possible to control thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals in the temperature range 77-300 K by changing the degree of deviation from stoichiometry.