Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
7 результатів
Результати пошуку
Документ Размерный эффект в тонких пленках селенида свинца(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2010) Рогачева, Елена Ивановна; Ольховская, Светлана Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Федоров, А. Г.Рассмотрено влияние толщины пленок селенида свинца (5,5-420 нм) на их кинетические коэффициенты при комнатной температуре. Установлено, что с ростом толщины при ~ 20 нм имеет место смена типа проводимости с дырочной на электронную. Электропроводность и подвижность носителей заряда возрастают при увеличении толщины пленок до ~ 150 нм и в дальнейшем практически не меняются с толщиной, что трактуется как проявление классического размерного эффекта. Результаты теоретического расчета зависимости электропроводности от толщины пленок с использованием теории Фукса-Зондгеймера достаточно хорошо согласуются с полученными экспериментальными данными.Документ Особенности концентрационных зависимостей структурных и термоэлектрических свойств в твердых растворах PbTe–PbSe(Інститут термоелектрики НАН України, 2013) Рогачева, Елена Ивановна; Водорез, Ольга СтаниславовнаПредставлены новые экспериментальные результаты и дан обзор ранее полученных авторами данных по исследованию зависимостей структуры, механических, гальвано-магнитных и термоэлектрических свойств от состава изовалентных полупроводниковых твердых растворов PbTe–PbSe в области малых концентраций PbSe (0-5 мол.%), а также по изучению температурных зависимостей гальваномагнитных свойств (80-300 К). Впервые в пределах исследуемого интервала концентраций обнаружены аномальный рост электропроводности, подвижности носителей заряда и степенного коэффициента в температурной зависимости подвижности при увеличении содержания PbSe, а также осциллирующий характер зависимостей ширины рентгеновских линий, микротвердости, коэффициентов Холла и Зеебека от состава. Наблюдаемые эффекты связываются с наличием концентрационного фазового перехода перколяционного типа, предположительно присущего всем твердым растворам, и с процессами самоорганизации, идущими в твердых растворах при переходе к примесному континууму.Публікація Effect of Deviation from Stoichiometry on Thermoelectric Properties of Bi₂Te₃ Polycrystals and Thin Films in the Temperature Range 77-300 K(Сумський державний університет, 2019) Rogacheva, E. I.; Novak, K. V.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.; Budnik, A. V.Bi₂Te₃ semiconductor compound and Bi₂Te₃-based solid solutions are presently among the best lowtemperature thermoelectric materials. One of the methods of controlling the conductivity type and properties of Bi₂Te₃ is changing the stoichiometry of this compound. Earlier, we have obtained the room-temperature dependences of mechanical and thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals on the degree of deviation from stoichiometry. The goal of this work is to investigate the behavior of such dependences at other temperatures. Bismuth telluride polycrystals with compositions in the range of 59.6-67.5 at. % Te were obtained, and for all the crystals the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, electrical conductivity and charge carrier mobility were measured in the temperature range 77-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of kinetic coefficients were plotted. It was found that similar to the room-temperature isotherms, the isotherms at lower temperatures were non-monotonic: they exhibited inversion of the conductivity sign between 60.5 and 61.0 at. % Te and extrema near 60.0 and 63.0 at. % Te. The experimental data are interpreted taking into account changes in the band and defect structures of Bi₂Te₃ under varying stoichiometry. The obtained results make it possible to control thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals in the temperature range 77-300 K by changing the degree of deviation from stoichiometry.Публікація Galvanomagnetic properties of polycrystalline Bi₁₋ₓSbₓ solid solutions in the concentration range x = 0-0.25(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2020) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Drozdova, A. A.; Nashchekina, O. N.; Men'shov, Yu. V.The dependences of the Hall coefficient, electrical conductivity, magnetoresistance, electron and hole concentration and mobility on the Bi₁₋ₓSbₓ solid solution composition in the concentration range x = 0-0.25 at 77 and 300 K in magnetic fields 1 T and 0.05 T were obtained. It was shown that all the dependences exhibit a distinct nonmonotonic oscillating behavior at both temperatures and in both magnetic fields. The presence of concentration-dependent anomalies of galvanomagnetic properties is attributed to critical phenomena accompanying the percolation-type transition from dilute to concentrated solid solutions and electronic phase transitions: a transition to a gapless state, the semimetal – semiconductor transition, and indirect – direct band gap semiconductor transition.Публікація Transport properties of the bismuth telluride thin films with different stoichiometry in the temperature range 77-300 K(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2020) Rogacheva, E. I.; Novak, K. V.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.; Budnik, A. V.The objects of the present study are thin films with thicknesses d = 45-620 nm prepared by thermal evaporation in vacuum from a single source, using undoped p- and n-type Bi₂Te₃ polycrystals with different stoichiometry (60.0 and 62.8 at. % Te, respectively) as a charge, and subsequent condensation on glass substrates at 500 K. The temperature dependences of the Hall coefficient Rн, electrical conductivity σ, and Hall charge carrier mobility μн of thin films were obtained in the range 77-300 K. It was found that the films had the same type of conductivity as the initial polycrystals in the entire temperature range studied and, like in the initial crystals, σ and μн decreased with increasing temperature. The exponents ν in the μн(T) dependences for the bulk polycrystals were larger than those for the films and increased with increasing d. In contrast to the p-type bulk polycrystals, Rн of the p-type films decreased under increasing temperature. In the n-type Bi₂Te₃, Rн decreased with temperature for both thin films and bulk crystals, however, the character of the Rн(T) dependences for the crystals and films differed. The decrease in Rн with temperature before the range of intrinsic conductivity in all thin films is attributed to the existence of donor and acceptor defect states.Документ Temperature dependences and isotherms of galoanomagnetic properties of Bi doped PbTe crystals and thin films(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2006) Rogacheva, E. I.; Lyubchenko, S. G.; Vodorez, O. S.The temperature dependences of galvanomagnetic properties (the Hall coefficient, electrical conductivity, charge carrier mobility) of (PbTe)₁₀₀₋ₓBiₓ (x = 0-1) alloys obtained by doping PbTe with elementary Bi and thin films prepared from these alloys were studied in the temperature range 80-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of the properties on the Bi concentration, which had been observed earlier at room temperature, is preserved at lower temperatures. This confirms our earlier suggestion about the self-organization processes taking place in the defect subsystem of the crystal at certain Bi concentrations.Документ Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2010) Ольховська, Світлана Іванівна; Водоріз, Ольга Станіславівна; Щуркова, Н.; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом.