Кафедри

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Гальваномагнiтнi властивостi плiвок PbSe з домiшкою хлору
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2012) Ольховська, Світлана Іванівна; Рогачова, Олена Іванівна
    Показано, що впровадження домішки PbCl2 у кристали PbSe змінює тип провідності з p- на n-, дозволяє отримати високi концентрації електронiв порівняно зi стехіометричним PbSe та знижує рухливість електронiв внаслідок зростання розсіяння носіїв заряду на домішкових дефектах. Встановлено, що методом термічного випаровування в вакуумi кристалiв PbSe, легованих PbCl2, можна отримувати тонкі плівки PbSe з високою концентрацією електронiв. При наявності захисного шару Al2O3 в плівках PbSe коефіцієнт Холла менший, ніж у плівці без захисного шару.
  • Ескіз
    Документ
    Размерные эффекты в тонких пленках PbSe, легированного хлором
    (Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2015) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Кривоногов, С. И.; Матейченко, П. В.
    Установлена возможность получения сильно вырожденных (≈ 3·10²⁰ см⁻³) тонких пленок PbSe (d = 5 – 220 нм) с n-типом проводимости методом термического испарения в вакууме кристаллов PbSe, легированных PbCl₂, с последующей конденсацией на подложки (001) KCl. Показано, что пленки обладают высокой степенью однородности, зеренная структура не наблюдается. Получены толщинные зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла RH и электропроводности σ) тонких пленок. В интервале толщин d ≈ 5 ÷ 30 нм наблюдаются осцилляции свойств с ростом d, наличие которых связывается с квантованием электронного газа. Показано, что расчет зависимости S(d) в предположении размерного квантования с учетом вклада нескольких подзон и толщиной зависимости энергии Ферми находится в согласии с экспериментальными данными. В области d > 30 нм наблюдается рост S и σ с толщиной, что связывается с проявлением классического размерного эффекта и интерпретируется в рамках теорий Фукса-Зондхеймера и Майера.
  • Ескіз
    Документ
    Size effects in chlorine doped PbSe thin films
    (Institute of Thermoelectricity, 2015) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Krivonogov, S. I.; Matychenko, P. V.
    The possibility of obtaining strongly degenerate (≈ 3·10²⁰ сm⁻³) PbSe thin films (d = 5 – 220 nm) with n-type conductivity by thermal evaporation in vacuum of PbSe crystals doped with PbCl₂, with subsequent condensation onto (001) KCl substrates was established. It was shown that the films had high homogeneity degree, no grain structure was observed. The thickness dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the Hall coefficient RH and the electric conductivity σ) of thin films were obtained. In the thickness range d ≈ 5 ÷ 30 nm, oscillation properties were observed with growth of d that are attributable to electron gas quantization. The calculation of S(d) dependence on the assumption of size quantization with regard to contribution of several subbands and the thickness dependence of the Fermi energy was shown to be in agreement with the experimental data. In the region of d > 30 nm there was growth of S and σ with thickness, which is attributable to manifestation of classical size effect and interpreted in the framework of Fuchs-Sondheimer and Mayer theories.