Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
6 результатів
Результати пошуку
Документ Вплив температури підкладки на знак носіїв заряду у плівках PbTe(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2006) Любченко, С.; Рогачова, Олена ІванівнаПри кімнатній температурі досліджено залежність коефіцієнта термо-електронно-рушійної сили (термо-е.р.с.) від товщини тонких плівок PbTe (d = 10-450 нм), які були виготовлені методом термічного випаровування у вакуумі на підкладки зі слюди при температурах 380 та 530 К. Досліджувались плівки з покриттям для захисту від окиснення і без захисного покриття. Отримані товщинні залежності проаналізовано із урахуванням впливу різних чинників, що визначають тип провідності, який простежено у тонких плівках PbTe – зміна стехіометрії тонкої плівки при зміні температури підкладки, процеси окиснення, зміна складу шихти в процесі випаровування.Документ Concentration anomaly of heat capacity in PbTe based solid solutions(2002) Rogacheva, E. I.; Sinelnik, N. A.; Krivulkin, I. M.The temperature dependences of the heat capacity in the Pb₁₋ₓMnₓTe and Pb₁₋ₓGeₓTe (x = 0-0.04) solid solutions based on PbTe were obtained in the temperature range of 100-670 K. Pronounced peaks were observed in the isotherms of the heat capacity in the vicinity of x ~ 0.01-0.015. The presence of the peaks is explained on the basis of the idea about the existence of concentration phase transitions of percolation type, which take place in any solid solution and are related to transformation of impurity discontinuum into impurity continuum.Документ Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2010) Ольховська, Світлана Іванівна; Водоріз, Ольга Станіславівна; Щуркова, Н.; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом.Документ Зависимости термоэлектрических свойств от толщины тонких пленок теллурида свинца, легированного индием(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2014) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.Получены зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, электропроводности σ, коэффициента Холла RH, подвижности носителей заряда μ и термоэлектрической мощности P = S²·σ) от толщины d (d = 10 – 255 нм) тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме кристаллов PbTe, легированных индием, и последующей конденсации на подложки (111) BaF₂. При уменьшении толщины пленок до d ≈ 40 нм наблюдается инверсия типа проводимости с n- на р-тип, что связывается с изменением условий термодинамического равновесия и частичным реиспарением атомов свинца и/или индия. На толщинных зависимостях свойств при d1 ≈ 20 нм обнаружены экстремумы, наличие которых указывает на квантование дырочного газа. В области толщин с n-типом проводимости наблюдается плавное изменение термоэлектрических свойств с толщиной, что свидетельствует о проявлении классического размерного эффекта и достаточно хорошо описывается в рамках теории Фукса-Зондхеймера.Документ Dependences of thermoelectric properties on the thickness of thin films of indium doped lead telluride(Institute of Thermoelectricity, 2014) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Matychenko, P. V.; Dobrotvorskaya, M. V.Dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the electric conductivity σ, the Hall coefficient RH, the carrier mobilityμ and the thermoelectric power P = S²·σ) on the thickness d (d = 10 – 255 nm) of thin films prepared by vacuum evaporation of indiumdoped PbTe crystals and subsequent condensation on (111) BaF₂ substrates were obtained. With decreasing thickness of films to d ≈ 40 nm, there is n- to p-type inversion of conduction which is related to a change in thermodynamic equilibrium conditions and partial reevaporation of lead and/or indium atoms. Extremes were found on the thickness dependences of properties at d₁ ≈ 20 nm which is indicative of hole gas quantization. In the range of thicknesses with n-type conduction there is a smooth change in thermoelectric properties with thickness which testifies to manifestation of classical size effect and is sufficiently well described in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory.Документ Size effects in thin n-PbTe films(STC "Institute for Single Crystals", 2015) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Zubarev, Evgeniy N.