2020
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/44964
Переглянути
1 результатів
Результати пошуку
Документ Аналіз вимог та розробка оптимального рішення гнучких сонячних елементів для використання у комбінованих PV/T системах(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2020) Зайцев, Роман ВалентиновичУ статті визначено вимоги до фотоелектричних перетворювачів, призначених для роботи як інтегровані джерела живлення для комбінованих систем PV / T: ефективно виробляти електроенергію при температурі 55ƒɋ; забезпечити коефіцієнт поглинання сонячної енергії на рівні не менше 90% і мати коефіцієнт відбиття в інфрачервоній частині спектра не більше 10%; разом із системою охолодження системи охолодження, конструкція перетворювач повинен забезпечувати різницю між температурою перетворювача і температурою теплоносія не більше 5 ° C. Дослідженнятемпературної залежності ефективності плівкових фотоелектричних перетворювачів на основі сполук CdTe та CuInSe2, аморфного кремнію та кристалічних GaAs, показав, що структури на основі базових шарів телуриду кадмію мають найменше зниження ефективності при збільшенні робочої температури. Коли температура змінюється на 50ƒɋ, ефективність таких пристроїв зменшується лише на 1%, а відносна швидкість зниження становить –0,14 відн. % / C, що значно менше, ніж той самий параметр для інших типів перетворювачів: GaAs –0,16 відн. % / С, аморфний кремній –0,21 відн. % / C, CuInSe2–0,36 відн. % / С. Аналітична обробка та аналіз впливу світлових характеристик на ефективність перетворювачів на основі кадмію показали це стабільність температури їх ефективності забезпечується щільністю струму насичення діода. Зі збільшенням температури від 20ƒɋ до 50ƒɋ, щільність струму насичення діода збільшується на 50% з 1,9 · 10-9 до 2,7 · 10-9. А, що менше, ніж для кремнієвих пристроїв, для яких діод струм насичення збільшується на 300%. Дослідження показали, що коефіцієнт поглинання сонячної енергії гнучкого елемента на основі кадмію телуриду у видимому діапазоні становить 94–96%, а коефіцієнт відбиття в інфрачервоній області спектра не перевищує 7-8%, що дозволяє конструкції колектора відмовлятися від використання селективного покриття, оскільки його функцію буде виконувати плівковий фотоелектричний перетворювач. Запропоновано конструктивно-технологічне рішення фотоелектричної системи з гнучкими фотоелектричними перетворювачами на основі телуриду кадмію.