Вісники НТУ "ХПІ"

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494


З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Підвищення ефективності промислових зразків кремнієвих сонячних елементів
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Дроздов, Антон Миколайович; Шкода, Дмитро Сергійович
    Досліджено можливості збільшення коефіцієнта корисної дії більш ніж на 20% для кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Методом комп’ютерного моделювання встановлено, що час життя нерівноважних носіїв заряду, який становить 520 мкс, реалізований у таких фотоелектричних перетворювачах, не обмежує можливості підвищення їх ефективності більш ніж на 20%. Показано, що збільшення щільності фотоструму до 43,1 мА/см² призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 20,1%, а зниження густини струму насичення діода до 3,1∙10⁻¹⁴ А/см² призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 20,4%. Одночасна зміна цих характеристик діода призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 23,1%. У роботі запропоновано фізико-технологічні підходи до збільшення густини фотоструму та зменшення густини струму насичення діода у готових фотоелектричних перетворювачах.
  • Ескіз
    Документ
    Двовісна модель теплового балансу сонячного колектора
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2022) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович
    Розглядаються сонячні колектори та термофотоелектричні системи (PV/T), що є одними з найперспективніших систем відновлюваних джерел енергії. Електроенергія, що виробляється фотоелектричними панелями, має великий потенціал, але й має технологічні недоліки, що не дають отримати максимальну ефективність. Розробка універсальної моделі теплообмінних процесів для оптимізації конструктивних особливостей PV/T систем на етапах проектування та виробництва дозволить збільшити термін служби таких систем та збільшити їх ефективність. Розроблена модель дозволяє враховувати більшість практичних параметрів за двома координатами плаского колектора, які враховують втрати теплової енергії, тепловий опір пластини абсорбера, теплообмін, робочі температури, тощо. Результати проведених модельних розрахунків корелюють з експериментальним даними. На основі запропонованої моделі розроблено програмний продукт для моделювання PV/T систем та проведено його тестування на відомих експериментальних результатах та готових PV/T системах. При проведенні розрахунків з використанням базових параметрів, отримано нагрівання теплоносія при проходженні одного сегмента колектора приблизно на 1,5⁰С. Зазначене зростання температури досягається при швидкості теплоносія 0,6 м/с, що є досить великою швидкістю. Найбільш оптимальним буде досягнення нагрівання теплоносія при проходженні через колектор на 5⁰С, що дозволить знизити швидкість протікання теплоносія аж до 0,2 м/с і значно знизити витрати електричної енергії на роботу помпи. Використання розробленої моделі дозволить вирішувати широке коло оптимізаційних завдань на етапах проектування та оптимізації сонячних колекторів та PV/T систем, отримувати оптимальні параметри конструкції для досягнення найбільшої ефективності та мінімальної собівартості.
  • Ескіз
    Документ
    Аналіз вимог та розробка оптимального рішення гнучких сонячних елементів для використання у комбінованих PV/T системах
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2020) Зайцев, Роман Валентинович
    У статті визначено вимоги до фотоелектричних перетворювачів, призначених для роботи як інтегровані джерела живлення для комбінованих систем PV / T: ефективно виробляти електроенергію при температурі 55ƒɋ; забезпечити коефіцієнт поглинання сонячної енергії на рівні не менше 90% і мати коефіцієнт відбиття в інфрачервоній частині спектра не більше 10%; разом із системою охолодження системи охолодження, конструкція перетворювач повинен забезпечувати різницю між температурою перетворювача і температурою теплоносія не більше 5 ° C. Дослідженнятемпературної залежності ефективності плівкових фотоелектричних перетворювачів на основі сполук CdTe та CuInSe2, аморфного кремнію та кристалічних GaAs, показав, що структури на основі базових шарів телуриду кадмію мають найменше зниження ефективності при збільшенні робочої температури. Коли температура змінюється на 50ƒɋ, ефективність таких пристроїв зменшується лише на 1%, а відносна швидкість зниження становить –0,14 відн. % / C, що значно менше, ніж той самий параметр для інших типів перетворювачів: GaAs –0,16 відн. % / С, аморфний кремній –0,21 відн. % / C, CuInSe2–0,36 відн. % / С. Аналітична обробка та аналіз впливу світлових характеристик на ефективність перетворювачів на основі кадмію показали це стабільність температури їх ефективності забезпечується щільністю струму насичення діода. Зі збільшенням температури від 20ƒɋ до 50ƒɋ, щільність струму насичення діода збільшується на 50% з 1,9 · 10-9 до 2,7 · 10-9. А, що менше, ніж для кремнієвих пристроїв, для яких діод струм насичення збільшується на 300%. Дослідження показали, що коефіцієнт поглинання сонячної енергії гнучкого елемента на основі кадмію телуриду у видимому діапазоні становить 94–96%, а коефіцієнт відбиття в інфрачервоній області спектра не перевищує 7-8%, що дозволяє конструкції колектора відмовлятися від використання селективного покриття, оскільки його функцію буде виконувати плівковий фотоелектричний перетворювач. Запропоновано конструктивно-технологічне рішення фотоелектричної системи з гнучкими фотоелектричними перетворювачами на основі телуриду кадмію.