Вісники НТУ "ХПІ"

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494


З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.

Переглянути

Фільтри

20162

Налаштування

Автор: search.filters.author.Суздаль, Виктор СеменовичКлючові слова: search.filters.subject.щелочногалоидные монокристаллы

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Редукция замкнутой системы управления многомерным процессом выращивания монокристаллов
    (НТУ "ХПИ", 2016) Суздаль, Виктор Семенович; Козьмин, Юрий Семенович
    Для управления процессом кристаллизации щелочно-галоидных кристаллов использован косвенный метод синтеза регуляторов низкого порядка и заданной структуры. Для получения робастного регулятора пониженного порядка применяется процедура сбалансированного отсечения. Подход основан на задаче управления по норме H∞. Такой подход уменьшает ошибку, которая обусловлена применением редуцированного регулятора. На конкретном примере показано, что не наблюдается заметного ухудшения робастных свойств при допустимом сохранении свойств системы в области высоких частот.
  • Ескіз
    Документ
    Синтез ПИД регулятора для многомерного процесса выращивания монокристал лов
    (НТУ "ХПИ", 2016) Суздаль, Виктор Семенович; Соболев, Александр Викторович; Тавровский, Игорь Игоревич
    Для многомерного процесса выращивания крупногабаритных щелочногалоидных монокристаллов проведен синтез регулятора полного порядка с использованием H∞ - процедуры формирования контура, учитывающей неопределенность в описании модели процесса кристаллизации и действующих внешних возмущений. Синтез H∞ регулятора, основанный на 2-Риккати подходе, дал регулятор с порядком, равным порядку объекта управления. Регулятор полного порядка аппроксимирован до ПИД регулятора на основе разложения в ряд Маклорена матричной передаточной функции полного регулятора, представленного в пространстве состояний. Аппроксимация ПИД регулятора обеспечила высокое качество управления процессом выращивания монокристалла CsI(Tl) диаметром 300 мм при необходимом запасе устойчивости системы.